Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...
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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />
Chapitre 3 : <strong>Etu<strong>de</strong></strong> <strong>de</strong> <strong>capacités</strong> MIM <strong>à</strong> <strong>base</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />
Des caractérisations physico-chimiques ont été réalisées <strong>en</strong> vue <strong>de</strong> relier structure et<br />
propriétés électriques. Des analyses <strong>de</strong> diffraction X ont permis <strong>de</strong> mettre <strong>en</strong> évi<strong>de</strong>nce <strong>de</strong>ux<br />
t<strong>en</strong>dances au niveau <strong>de</strong> l’ori<strong>en</strong>tation <strong>de</strong>s films <strong>de</strong> BTO qui pourrai<strong>en</strong>t jouer un rôle dans la<br />
variation <strong>de</strong> la constante diélectrique. En effet les dépôts ori<strong>en</strong>tés <strong>de</strong> manière aléatoire<br />
prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t les constantes diélectriques les plus faibles alors que les dépôts avec une<br />
ori<strong>en</strong>tation marquée prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t les constantes diélectriques les plus élevées. De plus cette<br />
étu<strong>de</strong> a permis <strong>de</strong> montrer que la température <strong>de</strong> transition est plus faible lorsque le paramètre<br />
<strong>de</strong> maille hors plan diminue. Une étu<strong>de</strong> sur l’ori<strong>en</strong>tation du BTO <strong>à</strong> l’ai<strong>de</strong> d’analyses <strong>de</strong><br />
diffraction X avec une meilleure précision sera prés<strong>en</strong>tée dans le chapitre suivant afin <strong>de</strong><br />
compr<strong>en</strong>dre l’influ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> l’ori<strong>en</strong>tation sur la constante diélectrique du BTO.<br />
Des analyses RBS ont montré que les écarts <strong>à</strong> la stœchiométrie pouvai<strong>en</strong>t égalem<strong>en</strong>t faire<br />
varier la constante diélectrique, la plus forte valeur étant obt<strong>en</strong>ue pour un dépôt<br />
stœchiométrique et la plus faible pour un dépôt prés<strong>en</strong>tant un écart <strong>à</strong> la stœchiométrie.<br />
Enfin <strong>de</strong>s mesures <strong>de</strong> contraintes ont montré que les dépôts étai<strong>en</strong>t fortem<strong>en</strong>t contraints (<strong>en</strong><br />
t<strong>en</strong>sion) suite au recuit <strong>de</strong> cristallisation ce qui pourrait expliquer les faibles valeurs <strong>de</strong><br />
constante diélectrique mesurées.<br />
3. SrTiO3<br />
3.1. Mesure d’épaisseurs<br />
Les dépôts <strong>de</strong> STO ont été réalisés <strong>de</strong> manière <strong>à</strong> ce que leur épaisseur soit égale <strong>à</strong> 50 nm,<br />
néanmoins nous avons vérifié ces épaisseurs afin <strong>de</strong> calculer la constante diélectrique <strong>de</strong><br />
chaque échantillon. Les résultats obt<strong>en</strong>us sont prés<strong>en</strong>tés dans le Tableau 3-12.<br />
Tableau 3-12 : Epaisseurs <strong>de</strong>s dépôts <strong>de</strong> STO vérifiées au profilomètre optique.<br />
N° <strong>de</strong><br />
l’échantillon<br />
Epaisseur<br />
(nm)<br />
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13<br />
50 45 58 63 53 47 47 54 49 47 46 48 48<br />
3.2. Tests électriques<br />
Comme pour le BTO, nous avons relevé les valeurs <strong>de</strong> la constante diélectrique <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong><br />
la température <strong>de</strong> recuit pour les différ<strong>en</strong>ts dépôts réalisés. Les courbes obt<strong>en</strong>ues sont<br />
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