Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...
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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />
Chapitre 5 : Influ<strong>en</strong>ce du procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> sur leurs performances<br />
3.3.4. Discussion<br />
Lors <strong>de</strong> son élaboration la plaque P17 a été recuite <strong>à</strong> 115°C p<strong>en</strong>dant <strong>de</strong>ux minutes ; ce recuit<br />
est interv<strong>en</strong>u avant la phase <strong>de</strong> cristallisation du STO. L’usinage ionique qu’a subi la plaque<br />
P19 avant le recuit <strong>de</strong> cristallisation est égalem<strong>en</strong>t une source <strong>de</strong> chaleur. La plaque P18,<br />
quant <strong>à</strong> elle, n’a subi aucune étape réalisée <strong>à</strong> haute température avant la cristallisation du<br />
STO. La croissance <strong>de</strong>s grains est peut-être bloquée par ces étapes lors <strong>de</strong>squelles les plaques<br />
sont chauffées <strong>à</strong> une température moins élevée que celle du recuit nécessaire <strong>à</strong> la<br />
cristallisation du STO.<br />
Cette théorie est égalem<strong>en</strong>t sout<strong>en</strong>ue par le fait que lorsque le STO est déposé <strong>à</strong> 150°C, même<br />
si les <strong>capacités</strong> sont élaborées avec la technologie « 100 mm », elles ne prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t pas <strong>de</strong><br />
fortes valeurs <strong>de</strong> constante diélectrique. Dans ce cas-l<strong>à</strong>, l’étape réalisée <strong>à</strong> une température<br />
inférieure <strong>à</strong> la température <strong>de</strong> cristallisation est le dépôt même du diélectrique.<br />
La Figure 5-23 regroupe les valeurs <strong>de</strong> constante diélectrique calculées lors d’une étu<strong>de</strong> au<br />
cours <strong>de</strong> laquelle nous avons fait varier les conditions <strong>de</strong> dépôt <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> inférieure <strong>de</strong> Pt<br />
et du STO. On observe que la plaque P28 pour laquelle le STO a été déposé <strong>à</strong> 150°C, prés<strong>en</strong>te<br />
une constante diélectrique égale <strong>à</strong> 132 alors que la plaque P26 qui a subi exactem<strong>en</strong>t le même<br />
procédé d’élaboration (technologie « 100 mm »), <strong>à</strong> l’exception <strong>de</strong> la température <strong>de</strong> dépôt du<br />
STO (T = 25°C), prés<strong>en</strong>te une constante diélectrique bi<strong>en</strong> plus élevée, égale <strong>à</strong> 350.<br />
Comme pour les plaques P17 <strong>à</strong> P19, la taille <strong>de</strong>s cristallites a été calculée pour ces <strong>de</strong>ux<br />
plaques <strong>à</strong> partir <strong>de</strong> la largeur <strong>à</strong> mi-hauteur du pic 110 du STO. On obti<strong>en</strong>t une taille <strong>de</strong><br />
38,7 nm pour la plaque P28 et 72,0 nm pour la plaque P26. L<strong>à</strong> <strong>en</strong>core, la taille <strong>de</strong>s cristallites<br />
obt<strong>en</strong>ue <strong>à</strong> partir <strong>de</strong> ces mesures, <strong>en</strong> négligeant les contraintes internes, montre une corrélation<br />
très forte avec la constante diélectrique.<br />
L’introduction d’une étape <strong>en</strong> température avant la cristallisation du STO doit jouer sur le<br />
rapport <strong>en</strong>tre la vitesse <strong>de</strong> nucléation et la vitesse <strong>de</strong> croissance.<br />
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