Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Figure 2-11 : Relation entre température de Curie et contrainte pour un film de BTO. [23]
2.1.8. Mécanismes de conduction – Courants de fuite
Le mécanisme de conduction principalement évoqué pour décrire le transport des électrons
dans une structure MIM à base de STO ou BTO est l’effet Schottky (cf chapitre 1) (Figure
2-12). Ce modèle repose sur la variation de la hauteur de barrière WB qui suit la relation :
= − χ Équation 2-2
WB WM
high−k
Avec WM, le travail de sortie du métal et χhigh-k, l’affinité électronique du diélectrique.
Figure 2-12 : Schématisation de l’effet Schottky dans une structure MIM [9]
Dans le cas du STO, la seule exception est l’aluminium qui obéit à un autre mécanisme
comme le montre la Figure 2-13.
Plus le travail de sortie du métal est élevé, plus la hauteur de barrière est importante et plus le
courant de fuite Schottky est faible.
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