Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
3. Les différentes techniques d’élaboration ......................................................................61
3.1. Introduction ..........................................................................................................61
3.2. Les techniques chimiques......................................................................................62
3.2.1. En phase liquide : le Sol-Gel .........................................................................62
3.2.2. En phase vapeur : la CVD .............................................................................64
3.3. Les techniques physiques ......................................................................................65
3.3.1. La pulvérisation cathodique RF magnétron....................................................65
3.3.2. L’ablation laser .............................................................................................68
4. La pulvérisation par faisceau d’ions.............................................................................69
4.1. Généralités............................................................................................................69
4.2. Les sources d’ions.................................................................................................70
4.2.1. Création de la décharge .................................................................................71
4.2.2. Extraction des ions ........................................................................................71
4.2.3. Neutralisation du faisceau d’ions...................................................................71
4.2.4. Contrôle de l’énergie des ions........................................................................72
4.2.5. Procédé d’assistance ionique à la croissance..................................................72
4.3. Procédé de dépôt...................................................................................................73
4.3.1. Description du dispositif................................................................................73
4.3.2. Paramètres de dépôt.......................................................................................75
5. Réalisation des capacités MIM.....................................................................................75
5.1. L’empilement........................................................................................................75
5.2. Elaboration de l’électrode supérieure et définition du condensateur.......................76
5.2.1. Elaboration par lift-off...................................................................................77
5.2.2. Elaboration par gravure .................................................................................78
5.3. Recuit de cristallisation .........................................................................................78
6. Conclusion du chapitre ................................................................................................79
Bibliographie........................................................................................................................80
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