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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 6 : Capacités MIM STO/BTO<br />

Tableau 6-1 : <strong>Etu<strong>de</strong></strong>s sur les empilem<strong>en</strong>ts STO/BTO <strong>en</strong> structure MIM.<br />

Réf.<br />

Technique <strong>de</strong><br />

dépôt<br />

Température<br />

du procédé<br />

Empilem<strong>en</strong>t Epaisseur εmax<br />

[4] Sol-gel 650°C Au/(BTO/STO)10/Pt/SiO2/Si 400 nm 400<br />

[5] Sol-gel 700°C Au/STO/(BTO/STO)2/Pt/Ti/SiO2/Si 640 nm 527<br />

[6] Sol-gel 750°C (BTO/STO)6/Pt/Ti/SiO2/Si ~ 400 nm 660<br />

[7] AL-MOCVD 620°C Au/(BTO/STO)20/STO:Nb 90 nm 425<br />

[9] MOCVD 600°C Pt/(BTO/STO)15/STO:Nb 285 nm 620<br />

[10] RF PVD 500°C Pt/(BTO/STO)4/Pt/Ti/SiO2/Si 450 nm 370<br />

[11] RF PVD 750°C Pt/(BTO/STO)40/LaNiO3/STO 160 nm 525<br />

[2] PLD 650°C Pt/(BTO/STO)125/STO:Nb 200 nm 900<br />

[16] PLD 650°C Au/(BTO/STO)~160/Pt/Si 800 nm 550<br />

[17] PLD 600°C Pt/(BTO/STO)110/STO:Nb 100 nm 594<br />

[18] PLD 650°C LSCO/(BTO/STO)~50/LSCO/MgO 100 nm 1282<br />

De nombreux auteurs ont étudié l’influ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> la périodicité <strong>de</strong>s empilem<strong>en</strong>ts (STO/BTO)n<br />

sur leurs constantes diélectriques [2,4,7,10,11,15-17].<br />

Lorsque la périodicité <strong>de</strong>s <strong>couches</strong> diminue, c’est-<strong>à</strong>-dire lorsque l’épaisseur <strong>de</strong> chaque couche<br />

<strong>de</strong> STO et BTO diminue, la constante diélectrique augm<strong>en</strong>te (Figure 6-3) [17]. Ceci vi<strong>en</strong>t du<br />

fait que la polarisation est affectée par les contraintes dues <strong>à</strong> la différ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> paramètres <strong>de</strong><br />

maille <strong>en</strong>tre les <strong>couches</strong> [7]. En effet, le paramètre <strong>de</strong> maille hors plan c du BTO augm<strong>en</strong>te<br />

lorsque l’on réduit la périodicité <strong>à</strong> cause <strong>de</strong>s déformations imposées par le STO qui a un<br />

paramètre <strong>de</strong> maille plus petit que le BTO dans le plan (Figure 6-4) [2]. La contrainte <strong>à</strong><br />

l’interface STO/BTO joue donc un rôle important dans l’amélioration <strong>de</strong> la constante<br />

diélectrique. Plus l’épaisseur <strong>de</strong> BTO est fine, moins les contraintes se relâch<strong>en</strong>t et plus le<br />

paramètre <strong>de</strong> maille c du BTO augm<strong>en</strong>te.<br />

Figure 6-3 : Evolution <strong>de</strong> la constante diélectrique avec la périodicité d’un empilem<strong>en</strong>t BTO/STO [17].<br />

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