Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 5 : Influence du procédé d’élaboration des capacités sur leurs performances
Figure 5-8 : Caractérisation AFM de l’échantillon de STO de 50 nm d’épaisseur, à gauche en mode
classique, à droite en mode TUNA
En ce qui concerne le STO le plus fin (Figure 5-9), les joints de grains sont beaucoup moins
visibles comme nous l’avons déjà noté en observant les images MEB et les passages de
courant localisés sont beaucoup plus rares que dans le cas du STO épais.
Figure 5-9 : Caractérisation AFM de l’échantillon de STO de 20 nm d’épaisseur, à gauche en mode
classique, à droite en mode TUNA
1.3. Conclusion
L’étude de l’influence de l’épaisseur de diélectrique sur les propriétés des capacités MIM a
montré que la diminution de l’épaisseur permet à la fois d’augmenter la capacité surfacique et
de diminuer les courants de fuite. En effet diminuer l’épaisseur de diélectrique permet d’éviter
la formation de joints de grains marqués et ainsi de réduire les pertes, les joints de grains
constituant un chemin préférentiel pour le passage du courant.
De plus nous avons montré l’importance du procédé d’élaboration des capacités : un recuit
après le dépôt de l’électrode supérieure permet d’améliorer de manière notable le niveau des
courants de fuite.
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