Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 1 : Problématique
Cette approche In IC (littéralement, dans les circuits intégrés) présente plusieurs avantages
[7] :
• Un gain de place,
• Un bénéfice au niveau électrique en réduisant les inductances parasites,
• Les industriels peuvent également créer des composants avec les spécifications
désirées sans avoir à choisir parmi les composants standards proposés par les
fabricants.
Une nouvelle direction a ensuite été prise avec le développement de la capacité MIM
(Métal/Isolant/Métal) au lieu de la capacité MIS (Métal/Isolant/Semi-conducteur). En effet,
celle-ci s’inscrit dans l’approche que l’on appelle Above IC (littéralement, au-dessus des
circuits intégrés), dans laquelle les composants passifs sont réalisés directement à la suite des
niveaux actifs, sur le même substrat. Cela correspond à une évolution vers l’intégration
verticale schématisée dans la Figure 1-4. Par rapport à l’approche In IC, cette approche
permet entre autre de réduire la capacité parasite, le condensateur étant situé plus loin du
substrat.
Figure 1-4 : Schématisation de l’intégration verticale des composants. [8]
2. La capacité MIM (Métal/Isolant/Métal)
2.1. Définitions
2.1.1. Propriétés physiques
La polarisation P r est, par définition, le moment dipolaire par unité de volume :
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