1766_Staras ir kt_Placiajuosciu_WEB.pdf - Vilniaus Gedimino ...

3638.19 pav. Mikrojuostelinės ir dviekranių meandrinių vėlinimo linijų įėjimovaržos priklausomybės nuo dažnio ir atstumo iki viršutinio ekrano, kaiε r1 = 7,3, ε r2 = 1, w / h 1 = 1, t / h 1 = 0,01, s / h 1 = 0,5, A / h 1 = 20: 1 – mikrojuostelinėlinija, 2 – h 2 / h 1 = 2, 3 – h 2 / h 1 = 1, 4 – h 2 / h 1 = 0,5(žvaigždutėmis paženklintos dažnio f π / 2 · 2A vertės)8.6 lentelė. Dviekranės meandrinės vėlinimo linijos įėjimo varžos dažniniųcharakteristikų pokyčiai, kintant atstumui iki viršutinio ekranoVėlinimo linijos konstrukcijaf ⋅ 2A= 15 GHz mm. (8.21) ir (8.22) išraiškose( i)INŽDZ ir( i)IN15Z yra nagrinėjamosioskonstrukcijos meandrinės vėlinimo linijos įėjimo varžos ties meandroviduriu, esant žemiesiems dažniams, ir kai f ⋅ 2A= 15 GHz mm.Iš 8.19 pav. ir 8.6 lentelės analizės išplaukia, kad įtaisius viršutinį ekranąmikrojuostelinės meandrinės vėlinimo linijos įėjimo varža sumažėja visame dažniųdiapazone ir nedaug padidėja jos priklausomybė nuo dažnio. Šie pokyčiaiypač pastebimi, kai viršutinis ekranas priartėja prie meandrinio laidininko darlabiau ( 2 10,5)h h = .Ertmę tarp meandrinio laidininko ir viršutinio ekrano užpildžius dielektriku,kurio dielektrinė skvarba didesnė nei vakuumo, vėlinimo linijos įėjimo varža darlabiau sumažėja (8.20 pav.). Be to, esant dideliam atstumui iki antrojo ekrano( h h = 2) ir didesnei terpės tarp meandrinio laidininko ir viršutinio ekrano2 1( i)δ ( ZIN ŽD ) δ ( Z IN15 )Mikrojuostelinė ( i= M ) – 0,5 %Dviekranė ( i= D )h2 h1= 2 –15 % 0,3 %h2 h1= 1–17 % 1,1 %h2 h1= 0,5 –25 % 1,7 %dielektrinei skvarbai, padidėja įėjimo varžos priklausomybė nuo dažnio(8.20 pav. ir 8.7 lentelė).