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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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• Störstellen (Donatoren, Akzeptoren) hoch<br />

• Störstellen tief<br />

• Leerstellen (vacancy)<br />

Z<br />

Y<br />

• Zwischengitteratome<br />

X<br />

• Versetzungen<br />

Anwendungen: - Vakuumphotozellen<br />

Innerer Photoeffekt<br />

- Photovervielfacher (S-20)<br />

Elektron verlässt den Kristall nicht!<br />

- Bildw<strong>and</strong>lerröhren (höhere Energien)<br />

Interessant nur im Halbleiter, wegen starker Än<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> elektrischen Eigenschaften;<br />

z.B.: Ladungsträgerdichte ne; nn (nn; np) (σ = e0(neµe + nnµn))<br />

Einstrahlung: hν ≥ Eg = EL - EV<br />

⇒ freie Elektronen im Leitungsb<strong>and</strong><br />

⇒ freie Löcher im Valenzb<strong>and</strong><br />

⇒ Erhöhung <strong>der</strong> Leitfähigkeit<br />

(Photoleitfähigkeit)<br />

Eigenschaften:<br />

direkte Halbleiter starker Effekt<br />

196<br />

E<br />

hν<br />

EL<br />

EV<br />

indirekte Halbleiter reduzierter Effekt<br />

Grenzwellen: hν ≥ Eg Eigenhalbleiter (intrinsischer Halbleiter)<br />

hν ≥ EA<br />

hν ≥ ED<br />

Anwendungen: Photoleiter (Photowi<strong>der</strong>stände)<br />

Sperrschicht - Photoeffekt<br />

Kombination von innerer Photoeffekt und Ladungsträgertrennung<br />

Anwendungen:<br />

hν<br />

ED<br />

EA<br />

- Photodioden (1 pn – Übergang), Solarzellen<br />

hν<br />

Störstellenhalbleiter (extrinsischer Halbleiter)<br />

X

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