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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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Opto – elektrische Sensoren<br />

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Kombination von Elementen:<br />

kein pn - Übergang: Leiter<br />

ein pn - Übergang: Diode<br />

zwei pn - Übergänge: Transistor<br />

mehrere pn - Übergänge: Thyristor<br />

• zeilenförmig: Zeilen - Array<br />

• flächenförmig: Flächen - Array<br />

Photomultiplier<br />

Zum Nachweis extrem geringer Lichtintensitäten im sichtbaren, ultravioletten und<br />

nahinfraroten Spektralbereich verwendet man meist Photomultiplier. Ihre Funktionsweise<br />

beruht auf dem äußeren Photoeffekt und <strong>der</strong> Sekundärelektronenemission: aus einer<br />

Photokathode (im Vakuum) werden durch Lichtquanten Elektronen ausgelöst, die durch<br />

eine Spannung von etwa 100 V zur nächsten Elektrode (Dynode) beschleunigt werden, wo<br />

jedes mehrere Sekundärelektronen auslöst. Solche Verstärkungsstufen werden kaskadiert<br />

(ca. 10), so dass an <strong>der</strong> letzten Elektrode (Anode) ein gut messbares Ladungssignal<br />

entsteht (Sekund¨arelektronen-Vervielfacher). Mit dafür optimierten Anordnungen k¨onnen<br />

so problemlos einzelne Photonen nachgewiesen werden (photon counting). Den<br />

prinzipiellen Aufbau eines Photomultipliers zeigt folgende Abbildung.<br />

Typische Geometrie eines Photomultipliers mit Frontfensterkathode (gebräuchliche Durchmesser liegen<br />

zwischen 10 und 100 mm); aus [7].= Burle Electronics. Photomultiplier H<strong>and</strong>book. Burle, 1987.<br />

Kathodenmaterialien: Für Photokathoden werden Materialien aus drei Substanzklassen<br />

verwendet: Metalle mit niedriger Austrittsarbeit (meist Mischungen aus Alkalimetallen) f¨ur<br />

den sichtbaren Spektralbereich, Halbleiter (Telluride, Oxide) f¨ur das Ultraviolette und III-V-<br />

Halbleiter (GaAs, GaInAs), bei denen mit geeigneter Beschichtung eine negative<br />

Elektronenaffinität erreicht wurde, f¨ur das nahe Infrarot. Die typischen B<strong>and</strong>strukturen<br />

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