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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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Die pin-Diode besteht aus einer breiten eigenleitenden Schicht (i:<br />

intrinsic), die beidseitig von einem hochdotierten p+- bzw. n - -Gebiet<br />

eingeschlossen ist (S<strong>and</strong>wich-Struktur). Bei genügen<strong>der</strong> Breite w<br />

werden die meisten Photonen in <strong>der</strong> i-Zone absorbiert und erzeugen<br />

dort je ein Elektron-Loch-Paar. Da die angelegte Sperrspannung<br />

praktisch vollständig über <strong>der</strong> i-Zone abfällt, werden die<br />

Ladungsträger durch das elektrische Feld getrennt und driften relativ<br />

rasch (mit Sättigungsdriftgeschwindigkeit vs) in das angrenzende n-<br />

bzw. p-Gebiet.<br />

Prinzip: Stromverteilung zwischen Kontakt A und Kontakt B. Quelle: http://www.on-trak.com/theory.html<br />

The one-dimensional PSD is able to detect a light spot moving over its surface in one<br />

direction. The photoelectric current generated<br />

by the incident light flows through the device <strong>and</strong> can be seen as an input bias current<br />

divided into two output currents. The distribution of the output currents show the light<br />

position on the detector.<br />

Photodioden – Array, PD – Array:<br />

Matrix aus einzelnen Photodioden. Hohe Empfindlichkeit, aber geringe Auflösung und<br />

große Pixelabmessungen.<br />

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