Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

E g
E
hν
EL
EV
ED
hν
EA
Der erste. Halbleiter war PbS; er ist immer noch wichtig.
X
201
intrinsischer Halbleiter: hν ≥ Eg
extrinsischer Halbleiter: hν ≥ ED; n – Typ
Halbleiter
hν ≥ EA: p – Typ Halbleiter
Belichtungsmesser in Kameras arbeiteten mit einem Photowiderstand.
E
EL
EV
Photodiode (PD):
Schaltzeichen:
Signale:
Phononenemision
Eg
x
Phononen → „Rauschen“, Erwärmung
• Photostrom (geschlossener Stromkreis): ISC ~ PLicht
Kurzschlussstrom (in Richtung des Sperrsättigungsstroms)
• Photospannung (offener Stromkreis): UOC ~ Du
(Diffusionsspannung< 1/e • Eg offene
Klemmenspannung
Effekt: Sperrschicht Photoeffekt
• n → n – Typ Halbleiter (Elektronen = Majoritätsträger)
• p → p – Typ Halbleiter (Löcher = Majoritätsträger)
⇒ Wahrscheinlichkeit nimmt mit
zunehmender Energie ab
⇒ „Grenze“ der Empfindlichkeit nach oben
U
P el