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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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(Energienivaues im Ortsraum) sind in nachfolgen<strong>der</strong> Abbildung skizziert. Die Kathoden sind<br />

entwe<strong>der</strong> als d¨unne semitransparente Schicht innen auf das Frontfenster aufgedampft<br />

o<strong>der</strong> als massivere Beschichtung auf ein Metallblech aufgetragen. Die Kathodengrößen<br />

liegen für optische Anwendungen zwischen einigen Millimetern (rauscharme<br />

Photonenzählanwendungen) und einigen Zentimetern.<br />

Dynoden werden aus Materialien mit guter Sekundärelektroneneffizienz hergestellt,<br />

vorwiegend aus BeO (gute Hochtemperatureigenschaften) o<strong>der</strong> Cs3Sb.<br />

Optische’ Elektronenaustrittsarbeit WA bei Metallen (linkes Bild), Halbleitern (mittleres Bild) und Halbleitern mit<br />

negativer Elektronenaffinität, d. h. Evak < EL (rechtes Bild). EF: Fermi-Energie, EV: Valenz-, EL: Leitungsb<strong>and</strong>,<br />

Evak: Vakuumniveau.<br />

Empfindlichkeit: Das Maximum <strong>der</strong> Quantenausbeute bei Photomultipliern liegt je nach<br />

Kathodenmaterial zwischen 0.1 und 30 %, d. h. jedes tausendste bzw. dritte auf die<br />

Photokathode treffende Photon löst dort ein Elektron aus. Der spektrale Verlauf ist im<br />

langwelligen Bereich durch die Austrittsarbeit bestimmt, im kurzwelligen Bereich in <strong>der</strong><br />

Regel durch das Fenstermaterial Photo – Wi<strong>der</strong>st<strong>and</strong> (PR), Photoleiter<br />

Quelle: Elektronische Messdatenverarbeitung, Klaus Betzler, <strong>Universität</strong> Osnabrück Wintersemester 2003/04<br />

Photowi<strong>der</strong>st<strong>and</strong><br />

Schaltzeichen:<br />

Photowi<strong>der</strong>stände und Photodioden beruhen beide auf dein inneren photoelektrischen<br />

Effekt: Einfallende Strahlung wird oberhalb einer kritischen Quantenenergie vom Halbleiter<br />

absorbiert, indem ein lokalisiertes Valenzelektron in den Kristall als Leitungselektron<br />

freigesetzt wird. Es entsteht neben diesem Leitungselektron ein positives Defektelektron im<br />

Valenzb<strong>and</strong> (---> Trägerpaarbildung). Bei diesen hier ausschließlich interessierenden<br />

Photodetektoren ist demnach das elektrische Ausgangssignal proportional zur Anzahl (n)<br />

<strong>der</strong> einfallenden Lichtquanten. Die beschriebene beleuchtungsgesteuerte Generation freier<br />

Ladungsträger führt nur bei Halbleitern zu verwertbaren elektrischen Effekten. Bei Metallen<br />

hingegen überdeckt die hohe Grunddichte von freien Elektronen diesen Photoeffekt<br />

vollständig. Neben <strong>der</strong> einfachen Anhebung von Valenzelektronen ins Leitungsb<strong>and</strong><br />

(intrinsischer Photoeffekt; h·f >B<strong>and</strong>lücke,) kommt in Son<strong>der</strong>fällen (Infrarot = IR) <strong>der</strong><br />

extrinsische Effekt zum Einsatz; hier entstammen die lichtgenerierten Leitungselektronen<br />

ortsgebundenen Störstellen.<br />

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