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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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Eigenschaften:<br />

- Phototransistor (2 pn – Übergänge)<br />

- Photofeldeffekttransistor<br />

- Phototyristoren (3 & mehr pn – Übergänge)<br />

Ladungsträgertrennung n → n-Typ Halbleiter (Majoritätsträgerbereich)<br />

2 Stromteile über die Phasengrenze<br />

p → p-Typ Halbleiter (Majoritätsträgerbereich)<br />

1. Diffusionsstrom aufgrund Konzentrationsgradient<br />

2. Diffusionsstrom aufgrund eines inneren elektrischen Feldes (ND+; NA-<br />

)<br />

pn – Homoübergang pn - Heteroübergang<br />

Werkstoff gleich ungleich<br />

B<strong>and</strong>dicke Egp = Egn Egp ≠ Egn<br />

Affinität κp = κn κp ≠ κn<br />

Austrittsarbeit Φp > Φn Φp ≠ Φn<br />

Fermienergie EFp ≠ EFn EFp ≠ EFn<br />

Optische Sensortypen<br />

Werkstoffe: Halbleiter<br />

Erfassung von optischen Parametern:<br />

• Intensität (Helligkeit)<br />

• Energie, Wellenlänge (Farbe)<br />

• geometrische Verteilung <strong>der</strong> Intensität (örtliche Auflösung)<br />

• zeitliche Verteilung <strong>der</strong> Intensität (Phasenlage, zeitliche Auflösung)<br />

Effekte:<br />

• innerer Photoeffekt<br />

• Sperrschicht – Photoeffekt<br />

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