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Sensors and Actuators - Fachbereich Physik der Universität ...

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Tagushi CO-Gassensor: Resistive Sensoren vom Taguchi-Typ bestehen aus porösen Sinterkörpern o<strong>der</strong><br />

Schichten aus halbleitenden Metalloxiden. Im weitaus häufigsten Fall n-leiten<strong>der</strong> Materialien vermin<strong>der</strong>t sich <strong>der</strong><br />

elektrische Wi<strong>der</strong>st<strong>and</strong> bei Anwesenheit reduzieren<strong>der</strong> Gase, während er sich in Atmosphären mit oxidierenden<br />

Gasen erhöht. Im Unterschied zu Bulk-resistiven Sensoren ist für den Messeffekt die Wi<strong>der</strong>st<strong>and</strong>sän<strong>der</strong>ung einer<br />

R<strong>and</strong>schicht <strong>der</strong> Keramikkörner verantwortlich. Quelle: www.sensedu.com & Beiträge zur Sensorik redox-aktiver<br />

Gase, Dissertation, Bernhard Kamp, MPI für Festkörperforschung, Stuttgart, 2002<br />

Auf dieser Grundlage wurden bereits zahlreiche Sensoren für H2, NH3, CH4, aber auch für<br />

nicht reduzierende Gase wie CO2 o<strong>der</strong> O2 entwickelt. Dabei finden Metalloxide wie Fe2O3,<br />

ZnO und TiO2 Verwendung.<br />

An<strong>der</strong>e Sensoren auf resistiver Basis verwenden kammartig inein<strong>and</strong>ergreifende<br />

Interdigitalstukturen, die mit organischen elektrisch leitenden Substanzen beschichtet<br />

sind. Phthalocyanine - Moleküle, die in ihren Aufbau dem Chlorophyll ähnlich sind - können<br />

je nach Art des Zentralatoms zur Detektion verschiedener Gase, z.B. CO o<strong>der</strong> NO2,<br />

verwendet werden.<br />

Feldeffekttransistoren<br />

Mit <strong>der</strong> fortschreitenden Entwicklung von Halbleiterbauteilen bieten sich dem Analytischen<br />

Chemiker neue Möglichkeiten zur Entwicklung Chemischer Sensoren. Für die Analytiker<br />

von Interesse sind Bauteile, die auf dem Feldeffekt beruhen. Wird ein Halbleiter aus z.B. p-<br />

Silicium an <strong>der</strong> Oberfläche zu SiO2 oxidiert und auf diese Oxidschicht eine Metallelektrode<br />

aufgebracht, erhält man die grundlegende Anordnung für ein Feldeffektbauteil.<br />

Entsprechend dieser Abordnung werden solche Bauteile oft als MOS (metal-oxidesemiconductor)<br />

o<strong>der</strong> MIS (metal-insulator-semiconductor) Bauteile bezeichnet.<br />

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