flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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n,rn Kgoxrnasse effective de l'électron dans le dioxyde des i lic i urnNBrn3dopage en irnpureté dusubstratncaconcentration en électronsnirnconcentration intrinsèqueen porteurspcaconcentration en trousQßC/rn2charge d'espace dans leilicium par unité de surfaceQ BIC/rn2charge d'espace dans le silicium par unité desurface pour +QCC/rn2charge par unité de ded 'inversionsurface dans la coucheQ CFCcharge de la grille flottanteQ GFCC ¡ca2charge de la grille flottantesurfacepar unité deQ0Ccharge initialesur la grille flottanteQ oxFC/rn2densité totale de charges fixes dans l'oxyde et àl'interface, dans lesconditions de bande plateQsC/rn2charge, par unité de surface dans le siliciumqCvaleur de la charge d'un électron (1,6 lO'9C)Rrésistances
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XOXYDE _. A5?LOG C I/E2)+tCAPACITE
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+ Si VG atteint des valeurs trop im
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Lorsque l'on élève la températur
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Toutefois, un profil de dopage idé
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- 193 -GRILLE FIOTTAIITEFIGURE 4-1
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RXLLE FLOTTANTEARILLE DE CONTROLEAU
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En contre partie, la position de l'
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_J_SELECTIDN D4 XTRANSISTOR NENOIRE
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LSN(FIGURE I-15 :Cellule mémoire n
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DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
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CAPACITECAPACITELBFI.OTOXLNFIGURE 2
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LB_ LBVssFIGURE 2-9 :Cellule mémoi
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274LBLBL14iNCELLULE iLMtclIvcc129p5
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vcc ycC .8.P 0/4117 110 TISP 4/4 IT
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REFERENCE SI. Dt.JTHIE, L'Onde Elec
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[5311 G. MERCKEL, Thèse de Doctora
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deriìièipage de la thèseAUTORISA
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