flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 62 -Il est toutefois important deremarquer que cette expression de tension deseuil correspond à la tension qu'il faudraitappliquer sur la grille flottante pour avoirun début de conduction dans le canal. Or, lagrille flottante n'étant pas accessible directementà la mesure, cette expression de latension de seuil ne correspond pas comme nousle verrons à une réalité expérimentale.Cependant elle met bien en évidencela relation linéaire quiexiste entre la chargeemmagasinée et le début de conduction. Onpeut ainsi, suivant la charge stockée avoir untransistor "bloqué" lorsque l'on applique à lagrille de contr6le des valeurs detensionutilisées classiquement en circuit intégré, ouau contraire un transistor "passant".Un tel système permet donc le codagebinaire d'une information.11.1.2.2 Mécanisme de charge et de décharge de la grillef lo t t anteNous venons de voir que les dispositifsà grilles flottantes sont des composants à seuilajustable. La particularité du Flotox est que cetajustement se fait électriquement par une conductionde porteurs à travers une couche mince d'oxydesituée au dessus d'une diffusion.
- 63 -- Si cette couche est suffisamment mince,et s'il existe ungrille flottante et la zonechamp suffisant entre ladiffusée, des électronsou des trous peuvent transiter, suivant lesens du champ et le type de porteurs, dediffusée vers la grilleflottante ou de la grilleflottante vers la zonede porteurs peut êtredirect si l'isolant a une50 A ou par conductionélectriques de typeisolants tel le dioxyde deépaisseurs supérieures à 50la zonediffusée. Ce transitréalisé par effet tunnelépaisseur inférieure àtunnel assitée par champsFowler Nordheim pour dessilicium et pour desSi on utilise un isolantde silicium, l'émissiontel le nitrurede porteurs est essentiellementdu type Frenkel-PoOl, c'est-àdirequ'elle est due à l'excitationthermique augmentéepar effet de champsdes électrons piégésdans la bande de conduction. [5411 115511.un isolantIl est toutefoisintéressant d'utiliserprésentant un type de conduction quidépend faiblement de latempérature, afin d'éviterdes changementsde comportement du dispositiflors d'éventuellesvariations de température.Cet avantage estde silicium, qui de plus estprésenté par le dioxydetrès facilementréalisable d'un point de vue technologique.C'est pourquoi on utiliserale dioxyde de siliciumcomme isolant minceFlotox. (Dans ce qui suit nousparlerons désormaisde l'oxyde mince).dans les structures
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