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- 16 -Il faut donc ajuster ce profil de manièreà obtenir un fort gradient de potentielprès de l'interface.Lors du parcours des porteurs chaudsdans l'oxyde, on constate le piègeage d'une partied'entreeux dans l'oxyde. Ce phénomène entrainela diminution di champ électrique verticalà l'interface SiSio2, qui a pour conséquence unechute de l'efficacité d'injection qui s'autolimite.Les trous chauds dont le transport dansl'oxyde est surtout assuré par une conduction ck.itype PooleFrenkel (abaissement par champ électriquede la barrière de potentiel des centrescoulombiens dont les porteurs piègés peuvents'échapper par excitation thermique) ont uneefficacité d'injection moindre que celle desélectrons , et une tendance au piègeage plusélevée. C'est pourquoi il semble plus intéressantd'utiLiser une injection par électrons chauds.B - Injection de porteurs chauds par avalanche d'unejonction : [61 [71 [81.La mise en avalanche d'une jonctiongénère des porteurs chauds dans la zone de désertionsurfacique. Ceuxci, sous l'action d'unchamp vertical (champ dans l'oxyde) dû à la polarisationd'une grille de contrôle placée au dessusde la jonction peuvent être injectés dansl'oxyde durant l'avalanche. (figure 1-5).