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- 286 -111.2.4 Cellules mémoires : mise en mémoire - repositjonneinentLes cellules mémoires ont été décrites dans lechapitre précédent, nous présenterons seulement ici lesopérations de mise en mémoire non volatile et de repositionnenient.Il faut noter que ces opérations caractéristiquesde la "non volatilité" ne font intervenir que lescellules mémoires elles-mêmes et aucune autre partie ducircuitLa cellule mémoire repositlonnement statique(figure 3-1) ne pose pas de problème particulier lors dela mise en mémoire non volatile, ou lors du repositionnementlors de la mise en mémoire non volatile latension d'alimentation passe è une haute tension, et lestensions aux noeuds du bistable accroissent leur différencesuivant cette haute tension. Durant cette opérationaucune perturbation n'est introduite par les branchesnon volatiles. De même le reposjtionnement nerequiert pas de conditions particulières sur les géométriesdes éléments de la cellule, ni sur les temps demontée de la tension d'alimentation de O à 5V : labranche de la cellule contenant l'élément non volatilpassant présente toujours une impédance plus faible(quelles que soient les conditions transitoires) quel'autre branche de la cellule.Les deux cellules mémoires è repositjonnementdynamique du type de celle de la figure 3-2 nécessitentquelques conditions particulières pour assurer une miseen mémoire non volatile convenable et un repositjonnementfiable.