flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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On définit la tension de seuil,c'est.L4jre la tension qu'il faut appliquersur la grille pour obtenir une conductionaisément détectable dans le canal, commel'extrapolation 1D = O, de lacaractéristique 'D (VGS) en forteinversion pour V tras faible. Celarevient définir la tension grille sourcepour laquelle la densité de charges Qc, dansla couche d'inversion est nulle en régime deforte inversion.La résolution de l'équation (2-3)permet d'obtenir la densité totale de charges(par unité de surface) Q5 dans le silicium.En régime de forte inversionRs = - K Cox vTI/2 [ - i + exp(L-2UF-UC) (2-6)K-(2q NB)'"2C ox(2-7) est le coefficientd'effet de substratNUF = log () =est le potentielde Fermi normaliséUCest l'écart de potentielnormaliséentre les pseudoniveauxde Fermini est la concentration intrinsèqueen porteurs du silicium et NB le dopage dusilicium.
- 55 -sest le potentielde surface normaliséest la tensionthermodynamiquek est la constante de Boltzmann et Tla température absolue.Cox est la capacité d'oxyde degrille par unité de surface.L'écriture de la loi de Gauss (2-4)permet de déterminer le potentiel de surface.La densité de charge Qox ramenée àl'interface est la somme de 2 termesQox = QoxF - kT Ds ( - ) (2-8)avec QoxF : densité totale de charges fixesdans l'oxyde et à l'interface,dans les conditions de bandesplates (1. = = O)Dss :densité d'états de surface parunité de surface et par e.v.,supposée constante dans la bandeinterditeL'équation (2-4) donneVG VFB = + -soxox(2-9)
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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