flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOGIE*SEEQ 52 B 1316K[*17]*XICOR X 281616K[*18 1INTEL 281716K 2816[*19]INTEL 2818[*2012K X 82K X 82K X 82K X 8NS 2K X 8-*MNC 281616K[*21 1NCR32K[*2214K X 8canal N,3mP.M. Flotoxà oxynitrurecanal N,5imP.M. 3 polycanal NP.M. Flotoxcanal N1,5imP.M. Flotoxcanal N3,5LmP.M. Flotoxcanal N,4mP.M. typeMNOSTAILLECELLULEMEMOIRESURFACEPUCETEMPSD'ACCESTENSIONALIM.TENSIONDE PROG.400iim2 200ns 5V généréesur puce- - - 5V --270iim2-15mm2250ns150nsSV5Vgénéréesur puce22V ext.séquenceur interne21vgénéréesur puce- 17,2mm2 200ns 5V 21Vgénéréesur puce241iim2 27mm2 300ns 5V-généréesur puceTEMPSPROG.CONSO.STATIQUECONSO.DYNAMIQUE RETENTION ENDURANCElOms 60mW 250mW - -lOms - - - -10/20mslOms300mW75mW900mW450mW10 ans10 ans10cyc Les10cycleslOms 50mw 350mW > 10 ans l05cycles10/lOOms150mW 450mW 10 ans 10cyc les
DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOGIEMOTOROLA*M.C.N 283232K[* 23]IM1OS*IM 363064t([*24J4K X 88K X 8canal N,3itmP.M. Fetmoscanal N,3pmP.M. typeMNOS(nitrox)isolementcaisson P** INTEL 512 X 8 HMOS i[*25 14KP.M. FlotoxTAILLECELLULEMEMOIR ESURFACEPUCETEMPSD'ACCESTENSIONALIM.TENSIONDE PROG.2óOtm2 20,6mm2 9Ons 5V 21vexterne-TEMPSPROG.167im2 33,7mm2 - 5V 10/lOOmsl764im2 18,67mm2-200ns 5V 2Omsgénéréesur pucetempsderepositionementCONSO.STATIQUECONSO.DYNAMIQUE RETENTION ENDURANCElOms 60mW 310mW - lO5cycles1500ns50mW 750mw 10 ans 1OcycLes250mW 500mW 10 ans l04cyc les** NCR8K[*26]1K X 8canal N,4mP.M. : MNOSisolementcaisson2l96pni2 31mm2 300ns 5V + 22VexterneslOms 160mw 300mW 1 an lOcycles.B. : . l'ensemble des produits présentés sont du type EEPROM à I 'exception des produits "**" du type NOVRAM.les EEPROM commercialisées sont notées par une astérisqueP.M. signifie point mémoire non volatil.le classement du tableau est fait par ordre croissant des capaci tées mémoires, on notera la présence demémoires 32K et 64K utilisant des dispositifs MNOS.
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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un même motif sontEn fait ces disp
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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looDEBUTInitialisation des tableaux
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Si l'on considère que pour un disp
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hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
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11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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Nous avons réalisé des sures apr
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La troisième hypothèse repose sur
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Les tensions appliquées à la gril
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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Texas Instrument, United States Pat
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