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- 39 -1.3.2.2 Structures bipolairesBien qu'il existe des mémoires EPROEI utilisantdes structures bipolaires [481, les structuresde types EEPR'1 sont à notre connaissance très peudéveloppées. bus citerons deux structures :Le "LWISTOR" (lateral, unidirectional, bipolartypeinsulated-gate transistor) ou transistor bipolaireà conduction unidirectionnelle et à grilleisolée latérale, et dont Le fonctionnement s'apparenteà celui d'une diode [49]. La représentationschématique de cette structure est donnée à lafigure 1-15.La structure "BIPEARCM" [50] dont le schéma estdonné à la figure 1-16. ElLe est constituée d'untransistor bipolaire et d'une grille flottantepermettant de contrôler la base du transistor. Lavariation de l'état de la base : accumulée, déplétéeou inversée permet de moduler la valeur ducourant de base. C'est la variation de La valeur dugain qui permet la lecture de ce dispositif.L'effacement (qui correspond à une dégradation dugain) s'effectue en chargeant positivement la grilleflottante par un effet tunnel Fowler-brdheimentre la grille de commande et la grille flottante.L'écriture (c'est-à-dire le retour au gain normal)s'effectue par injection d'électrons chauds issusde l'avalanche de la jonction émetteur-base sanspolarisation de La grille de commande.