flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

More documents

Recommendations

Info

- effet de substrat :- 265 -transistor de type canal Npour L = 3,5tm KBN = 0,6 si V < iVKBN = 0,25 siVBSI> 1Vpour L = 5iim KBN = 0,7 si IVKBN = 0,35 si iVtransistor de type canal Ppour L = 3,5iim KBP = 0,7pour L 5iim = 0,8- résistances des couches :RP+ : 1202IRa Mf :Silicium polycristallin : 18 à 30/a- dimensions électriques des canaux :transistor de type canal NLEN = (LDN - 1,2) + 0,5 en tmZEN = (ZDN - 1,5) + 0,5 enm
- 266 -transistor de type canal PLEP = (LDP - 0,9) +0,5 en imZEP = (ZDP - 1,8) +0,5 en im- mobi lités := 600 à 700 cm2 / VstP = 250 à 280 cm2 / VsNous noterons enfin quelques points particuliers de cettetechnologie dont les impacts sur l'implantation des circuitsest important :- Les croisements de silicium polycristallin : poly 2 avec lesilicium polycristallin : poly 1 sont interdits en 20V maisautorisés en 5v,le débordement du poly 1 au delà du poly 2 estautorisé,- les contacts sur poLy 2 lorsque ce dernier est pLacéaudessus cii poLy 1sont interdits.
Page 1 and 2:
N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
Page 4 and 5:
Sont aussi habilitées ì diriger d
Page 6 and 7:
AVANT-PROPOSLe travail présenté d
Page 9 and 10:
EV /mchamp électrique critique lon
Page 12:
VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
Page 15 and 16:
wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
Page 17 and 18:
P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
Page 19 and 20:
I NTRODUCT I ON
Page 21 and 22:
-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
Page 23 and 24:
PREMIEREPARTIE
Page 25 and 26:
-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
Page 27 and 28:
-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
Page 29 and 30:
9Couche mincemag ne t iqueSens de I
Page 31 and 32:
L'inscription se fait en injectant
Page 33 and 34:
- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A M
Page 35 and 36:
- 15 -- A est une constante, A = 2,
Page 37 and 38:
- 17 -Les porteurs chauds majoritai
Page 39 and 40:
- 19 -La figure 1-6 illustre cette
Page 41 and 42:
- 21 -1.3.1.3 Injection de porteurs
Page 43 and 44:
- 23 -+VG- VSUBTJONCTIONFIGURE l-7
Page 45 and 46:
- 25 -Etudiées depuis une quinzain
Page 47 and 48:
GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
Page 49 and 50:
- 29 -L'effacement est réalisé pa
Page 51 and 52:
- 31 -L'écriture de ce dispositif
Page 53 and 54:
- 33 -Q peut noter aussi L'existenc
Page 55 and 56:
ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
Page 57 and 58:
- 37 -- Structure à injection de p
Page 59 and 60:
- 39 -1.3.2.2 Structures bipolaires
Page 61 and 62:
- 41 -1.4 CONCLUSIONParmi tous les
Page 63 and 64:
- 43 -Le choix d'un point mémoire
Page 65 and 66:
11.1 DESCRIPTION - PRINCIPE DE FONC
Page 67 and 68:
Les grilles sont généralement ré
Page 69 and 70:
- 49 -11.1.2.1 Effet de la charge e
Page 71 and 72:
- 51 -- A l'interface Si-BiO2loi de
Page 73 and 74:
- 53 -p la charge, par unité de vo
Page 75 and 76:
- 55 -sest le potentielde surface n
Page 77 and 78:
- 57 -avecVFB=MSOXFoxla tension de
Page 79 and 80:
- 59 -C =[ IDI 2(2$F+ CVT)N (2-18)B
Page 81 and 82:
- 61 -L'expression générale de la
Page 83 and 84:
- 63 -- Si cette couche est suffisa
Page 85 and 86:
- 65 -réalisation d'un isolant int
Page 87 and 88:
- 67 -- croissance de l'oxyde de gr
Page 89 and 90:
- 69 -+ 9ème masque : ouverture pl
Page 91 and 92:
- Attaque du nitrure- Implantation
Page 93 and 94:
- 73 -- Oxydation grilleS132- Dép
Page 95 and 96:
11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
Page 97:
un même motif sontEn fait ces disp
Page 100 and 101:
- 80 -Lors de ces mesures, il estn
Page 102 and 103:
11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
Page 104 and 105:
__ li - ROI(LI - ..4t ISVOS-1. 3VYi
Page 106 and 107:
- 86 -A, A', B, K" sont des constan
Page 108 and 109:
COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
Page 110 and 111:
- 90 -En formulant l'hypothèse que
Page 112 and 113:
- 92 -soit- VD) +C3 (VFG - VD) + C4
Page 114 and 115:
- 94 -Où Q est la charge sur la gr
Page 116 and 117:
- 96 -Nous avons aussi supposé que
Page 118 and 119:
- 98 -LiV4.75 azro.n VZ eIsIVIL - D
Page 120 and 121:
looDEBUTInitialisation des tableaux
Page 122 and 123:
- 102 -A -----EFUI LIUE CU LI Çt3E
Page 124 and 125:
- 104 -On en déduit que pour les v
Page 126 and 127:
11.2.5 Expression de la tension de
Page 128 and 129:
- 108 -LSO_¿OS SA Ut-OSZM.E LOTOSW
Page 130 and 131:
oat.' C1.-tSIUi2.31414 ..J vi . d -
Page 132 and 133:
Si l'on considère que pour un disp
Page 134 and 135:
iLa relation entre cette "pseudo-mo
Page 136 and 137:
- 116 -Ces dernières équations et
Page 138 and 139:
- 118 -Ces valeurs ont été déter
Page 140 and 141:
- La conduction du transistor I1S c
Page 142 and 143:
- 122 -vaVGtt..Ie_JN.p(a)p(b)vap(c)
Page 144 and 145:
- 124 -La mesure des charges initia
Page 146 and 147:
hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
Page 148 and 149:
11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
Page 150 and 151:
Ce résultat semble suffisant pour
Page 152 and 153:
y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
Page 154 and 155:
- 134 -Cette simplification se just
Page 156 and 157:
Nous avons réalisé des sures apr
Page 158 and 159:
La troisième hypothèse repose sur
Page 160 and 161:
- 140 -L'intégration permettant de
Page 162 and 163:
- 14210.y. env BED 25-8! 828 1 Moti
Page 164 and 165:
Les tensions appliquées à la gril
Page 166 and 167:
- 146 -2_ WI Sfl Vo-i7EHPS OEFFACEI
Page 168 and 169:
6\qO" - o- oA- AA - - i:--- A-An-po
Page 170 and 171:
La hauteur de barrière entre silic
Page 172 and 173:
Les hauteurs de barrière nsurées
Page 174 and 175:
BED 15 -oxyde de grille thermique (
Page 176 and 177:
C H A P I T R EIIIPROBLEMES LIES A
Page 178 and 179:
- 158 -ioyS.nV7fof4f3fBED 10 - 92 2
Page 180 and 181:
- 160 -ioCYCLE EXPERIMENTALBED No:
Page 182 and 183:
+ tant que la tension de programmat
Page 184 and 185:
- 164 -ioSVs HAUTDEGRADATION: BED n
Page 186 and 187:
- 166 -D'autre part, on observe des
Page 188 and 189:
- 168 -111.3.2 Explications théori
Page 190 and 191:
111.4. EFFETS DU TEMPS DE MONTEE DE
Page 192 and 193:
- 172 -La figure 3-8 correspond à
Page 194 and 195:
- 174 -Pour un temps de montée tr
Page 196 and 197:
- 176 -y. y+ f + + f+ffPEO *5 - MOT
Page 198 and 199:
- 178 -- le dispositif Flotox est "
Page 200 and 201:
- 180 -111.6. LIMITATION DE LA PROG
Page 202 and 203:
- 182 -!LC OC DOPAGC SIIVAC.MTAT DC
Page 204 and 205:
- 184 -2.0LI______iCOtC TOZLe......
Page 206 and 207:
- 186 -VJENSION 0E SEUIL BAS EN FON
Page 208 and 209:
- 188 -OPTIMISAT!QOU PROFIL 0E O0PA
Page 210 and 211:
- 190 -111.7. CONCLtSIONOn peut dé
Page 212 and 213:
IV 1. INTRODUCTIONLe dispositif Flo
Page 214 and 215:
- 194 -IV.2. POINT MEI4OIRE DU TYPE
Page 216 and 217:
L'élaboration d'uit modèle pour c
Page 218 and 219:
IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La
Page 220 and 221:
Le champ électrique créé dans la
Page 222 and 223:
La comparaison de ces deux cycles m
Page 224 and 225:
-TSI8T0R0E LECTUREFIGURE 4-9(a)Comp
Page 226 and 227:
- 206 -* (.i U C..). 1(11- $- 24$$
Page 228 and 229:
Cela correspond I un gain de 2 sur
Page 230 and 231:
10S2.0 0-2.12.22.72.2LS1.42.1L!2.5L
Page 232 and 233:
Nous montrons aux figures 4-15 et 4
Page 234 and 235:
DEUXIEMEPARTIE
Page 236 and 237: - 215 -1.1 INTRODUCTIONLes mémoire
Page 238 and 239: - 217 -Ui autre exemple concerne le
Page 240 and 241: - 219 -Quelque soit le type d'utiLi
Page 242 and 243: - 221 -1.2 CIRCUITS DU TYPE EEPROM1
Page 244 and 245: - 223 -COLOII4E i COLOMME 2LIGNE 0E
Page 246 and 247: - 225 -1.3 CIRCUITS DU TYPE NOVRAM1
Page 248 and 249: - 227 -Le point essentiel d'une NOV
Page 250 and 251: - 229 -1.3.2.2 Présentation de que
Page 252 and 253: - 231 -A partir de ces deux types d
Page 254 and 255: LIGNE DE BIT13 14F-LIGNE DE BIT15 I
Page 256 and 257: - 235 -Le repositionnement utilise
Page 258 and 259: - 237 -Lors du repositionnement les
Page 260 and 261: - 239 -Dans ces conditions, lorsqu'
Page 262 and 263: - 241 -1.4 CONCLUSIONLes produits n
Page 264 and 265: DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
Page 266 and 267: CHAPITREPRESENTATION DU CIRCUITNOVR
Page 268 and 269: - 247 -\/\rt/\\!/\/A1]RESSAGE LIGNE
Page 270 and 271: 11.3 CHOIX DES CELLLLES MEMOIRES- 2
Page 272 and 273: - 251 -TBT.IOFIGURE 2-2 : Cellule m
Page 274 and 275: - 253 -Cependant, et c'est là Le d
Page 276 and 277: - 255 -Les schémas électriques de
Page 278 and 279: - 257 -La première cellule choisie
Page 280 and 281: - 259 -II.A CHOIX ET DESCRIPTION DE
Page 282 and 283: - 261 -- profondeur des jonctions :
Page 284 and 285: - 263 -- Oxydation de grille- Impla
Page 288 and 289: - 267 -11.5 PRINCIPALES REGLES DE D
Page 290 and 291: - 269 -la figure 2-11.Les principal
Page 292 and 293: 111.1 INTRODUCTIONLe circuit prése
Page 294 and 295: 111.2 DESCRIPTION DES ELEMENTSCOITI
Page 296 and 297: - 275 -En mode lecture les 1YS 11 e
Page 298 and 299: - 277 -A la figure 3-4 sont représ
Page 300 and 301: - 279 -tension en Vs-.CDébut de le
Page 302 and 303: - 281 -La figure 3-7 met en éviden
Page 304 and 305: - 283 -SORTIE AMPLI. EI129 1730ii_4
Page 306 and 307: - 285 -En écriture la commande de3
Page 308 and 309: - 287 -On remarquera sur la figure
Page 310 and 311: - 289 -On peut supposer sans perteR
Page 312 and 313: 111.3 IMPLANT&TION DU CIRCUITSons d
Page 314 and 315: FIGURE 3-15 bi s :De sn d'tmplantat
Page 316 and 317: - 295 -111.4 CONCLtSIONLa NOVRAM é
Page 318 and 319: - 297 -CONCLUS ION
Page 320 and 321: - 299 -La d,Lme.n4-Lon da euLt tan,
Page 322 and 323: Texas Instrument, United States Pat
Page 324 and 325: [81] T. W. HICKMOTT et R. M. ISAAC,
Page 326 and 327: - 300 -ANNEXES
Page 328 and 329: -2-a S1 B(BLexp B Lt+exp('KL+Q - L
Page 330 and 331: De l'ensemble des relations (1), (2
Page 332 and 333: 6ANNEXZ 3x représentant la distanc
Page 334 and 335: V(x1) - y(o) = -f E (x) dx =sNBSr1
Page 336 and 337:
- lo -Lorsque a < x < bE(x) - E(a)
Page 338 and 339:
- 12 -Ecriture des équations= C2 (
Page 340 and 341:
Par la présence de l'équation dif
Page 342:
Le .tiavaLe eectu eonceJne deux dom
show all

flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?