flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 235 -Le repositionnement utilise ledéséquilibre des branches créé par Laprésence de L'élément non volatil. Toutefoisle système est tel que l'on retrouve l'étatcomplémentaire à l'état stocké sur les noeudsdu bistable.De même qu'en technologie canal N, denombreuses ceLlules ont été déveLoppées entechnologies CMOS [*9] [*10].B - Cellules à noeuds déséqui librés :Nous présentons à la figure I-15 unecellule de ce type réalisée en technologiecanal N [*111.L'opération de mise en mémoires'effectue de la manière suivante : durant lapremière moitié du cycle de mise en mémoire,l'élément non volatil (dans ce cas un Flotox) esteffacé (grille déchargée) en maintenant leslignes CLK et PRO à 0v, et en polarisant la ligneCLR à la tension de programmation VPP. Durantdeuxième moitié du cycle, CLR est ramené à 0V,CLK est à VCC (tension d'alimentation ducircuit : 5v), et PRO est amené à la tension deprogrammation VPP. Le transistor T9 étant bloqué,la haute tension demeure sur le noeud D tant quele transistor T7 ne peut pas conduire. Sinoeud B est à 0V, le transistor T7 est passant etla tension du noeud D chute à 0v, ainsi T5 peuts'écrire (stockage d'électrons sur la grilleflottante).leLa
LSN(FIGURE I-15 :Cellule mémoire non volatile à noeuds déséquilibrés, réaliséeen technologie canal NLBT5PAj VdcIIcMnfTILB34pVssLMFIGURE I-16 : Cellule mémoire non volatfle innovative réalisée entechnologie CMOS et détail du point mémoire
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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I NTRODUCT I ON
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L'inscription se fait en injectant
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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- Attaque du nitrure- Implantation
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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Texas Instrument, United States Pat
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