flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

- 250 -11.3.2 Présentation et description des cellules choisies11.3.2.1 Repositionnement statiqueLes celLules présentées dans ce paragraphesont réalisées en technoLogie canal N. ELlespeuvent cependant être réalisées en technologieCMOS en changeant L'élément de base de la cellule,c'estàdire le bistable en technologie CMOS.La cellule présentée à La figure 2-2 estconstituée d'un bistable qui permet le fonctionnementen RAM statique : 12 et T sont des MOSenrichis, 19 et 110 sont Les transistors d'accèsaux ligne de bits.Pour assurer la fonction de mémoire nonvolatile, on adjoint à chacune des branchesbistable, en parallèle avec T1 (respectivement13), un élément cii type Flotox T (respectivementT) en série avec un transistor d'accès 17 (respectivementTe). Les drains et grilles des transistorsFlotox sont croisés : le drain de T (respectivementT) est relié à la grille de T6 (respectivementT) ; on assure ainsi la symétrie del'ensemble et Le bon fonctionnement de La cellule.ciiEn fonctionnement RAM statique les transistors17 et T, sont bloqués, permettant ainsi unfonctionnement classique du bistable.Lorsqu'on veut mémoriser de manière nonvolatile l'état du bistable, on applique une tensionde 20V sur la ligne VDD, Les transistors T7et T, étant maintenus bloqués. Le noeud du bistablequi "voyait1' 5V en fonctionnement RAM, voitmaintenant 20V tandis que L'autre noeud demeure à0V ; ainsi le Flotox situé du côté de l'état hautaura son drain polarisé à 20v et sa grille à 0V.