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flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 21 -1.3.1.3 Injection <strong>de</strong> porteurs à travers une couche d'isolantultra minceCe type d'injection se rencontre essentiellementdans les structures du type MNOS où sur lesubstrat <strong>de</strong> silicium repose une couche ultra mince(20 à 30 A) <strong>de</strong> dioxy<strong>de</strong> <strong>de</strong> silicium, ellemême surmontéed'une couche <strong>de</strong> nitrure <strong>de</strong> siLicium d'une épaisseurvariant actuellement entre 200 et 500 A.Sous l'effet d'un champ électrique dansl'isolant, <strong>de</strong>s porteurs peuvent transiter par effettunnel à travers la couche d'oxy<strong>de</strong>, dans <strong>de</strong>s piègessitués à l'interface (et légèrement au <strong>de</strong>là) dioxy<strong>de</strong><strong>de</strong> silicium - nitrure <strong>de</strong> silicium.Les modèles récents [15] [16] décrivant lephénomène <strong>de</strong> conduction à travers l'oxy<strong>de</strong> proposentune conduction modifiée <strong>de</strong> type Fouler Nordheim dansun premier temps, puis Lorsque la quantité <strong>de</strong> chargespiégées s'accroît, une conduction du type tunnelban<strong>de</strong> à ban<strong>de</strong> : c'estàdire que les électrons issus<strong>de</strong> La ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> conduction du silicium passent directementdans celle du nitrure.L'effet modifié tunnel Fouler 1brdheimconsidère que les charges passent <strong>de</strong>ux barrières <strong>de</strong>potentiel : celle <strong>de</strong> l'oxy<strong>de</strong> et partieLlement une dunitrure. La probabilité <strong>de</strong> passage est expriméepar :P = Po exp (tox/Àox) exp (-8 tx/Xox) (1-3)

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