flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 24 -1.3.1.5 Injection de porteurs par photocourantsCe procédé très répandu est utilisé pourdécharger un dispositif préalablement chargé. Ilutilise un rayonnement électromagnétique, généralementune lumière ultra violette (mais on peut aussiutiliser un rayonnement X, ce qui donc ne nécessitepas de fenêtre en quartz dans le boitier des circuitsdu type EPROM). Ce rayonnement active les porteurs etun photocourant est ainsi créé à travers l'oxyde.1.3.1.6 ConclusionLes mécanismes décrits précédemment constituentles mécanismes principaux de charge et de déchargeà travers des oxydes. Toutefois cette revuen'est pas exhaustive dans la mesure où toutes lescombinaisons possibles des mécanismes précédentspeuvent être utilisées, ainsi que l'utilisation denouveaux diélectriques : oxynitrure - S1o2 riche ensilicium... La tendance actuelle est d'ailleursd'utiliser de nouveaux diélectriques.1.3.2 Présentation et analyse du fonctionnement de quelquesdispositifs1.3.2.1 Structures réalisées en technologie MOSA - Structure MIOS (métal - isolant - oxyde -silicium) :C'est de tous les points mémoire nonvolatils à écriture et effacement électrique Leplus ancien.
- 25 -Etudiées depuis une quinzaine d'années,tout au moins pour le MNOS [18], ces structuressemblent à L'heure actuelle un peu délaisséesbien que certains constructeurs tels HITACHI [191[20], NCR [21] continuent leur recherche etfabriquent des produits.Récemment d'autres structures du mêmetype mais utilisant de L'alumine (Al203) ou unsandwich nitrure-alumine à La place du nitrureont été développées. Il s'agit des structuresMAOS (métal - alumine - oxyde - silicium) etMANOS (métal - alumine - nitrure - oxyde -siLicium) [22].La figure 1-8 décrit une structureclassique actuelle de MNOS avec grille métaLlique.La forme particulière de La grillepermet d'isoler le transistor MNOS proprementdit, grke aux transistors qui lui sont adjacentset qui sont du type enrichi.La figure 1-9 décrit une autre structureactuelle de MNOS avec une grille en SiPo ly.- W procédé type de fabrication decette structure est le suivant [201 :Substrat de départ de type N (100) et de résistivité8 à 12 Q cm.Des caissons de type P sont réalisés pour isolerle MNOS des MOS des circuits périphériqueset cii plan mémoire.
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