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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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11.1 DESCRIPTION - PRINCIPE DE FONC
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Les grilles sont généralement ré
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- Attaque du nitrure- Implantation
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11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET
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un même motif sontEn fait ces disp
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11.2.2.2 Démarche expérimentalePo
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__ li - ROI(LI - ..4t ISVOS-1. 3VYi
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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looDEBUTInitialisation des tableaux
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11.2.5 Expression de la tension de
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oat.' C1.-tSIUi2.31414 ..J vi . d -
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Si l'on considère que pour un disp
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iLa relation entre cette "pseudo-mo
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hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
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11.3 CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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Nous avons réalisé des sures apr
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La troisième hypothèse repose sur
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Les tensions appliquées à la gril
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- 146 -2_ WI Sfl Vo-i7EHPS OEFFACEI
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6\qO" - o- oA- AA - - i:--- A-An-po
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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BED 15 -oxyde de grille thermique (
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C H A P I T R EIIIPROBLEMES LIES A
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+ tant que la tension de programmat
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111.4. EFFETS DU TEMPS DE MONTEE DE
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- 186 -VJENSION 0E SEUIL BAS EN FON
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IV 1. INTRODUCTIONLe dispositif Flo
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L'élaboration d'uit modèle pour c
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IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La
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Le champ électrique créé dans la
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La comparaison de ces deux cycles m
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-TSI8T0R0E LECTUREFIGURE 4-9(a)Comp
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Cela correspond I un gain de 2 sur
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10S2.0 0-2.12.22.72.2LS1.42.1L!2.5L
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Nous montrons aux figures 4-15 et 4
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DEUXIEMEPARTIE
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LIGNE DE BIT13 14F-LIGNE DE BIT15 I
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DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
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CHAPITREPRESENTATION DU CIRCUITNOVR
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11.3 CHOIX DES CELLLLES MEMOIRES- 2
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111.1 INTRODUCTIONLe circuit prése
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Texas Instrument, United States Pat
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[81] T. W. HICKMOTT et R. M. ISAAC,
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-2-a S1 B(BLexp B Lt+exp('KL+Q - L
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De l'ensemble des relations (1), (2
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6ANNEXZ 3x représentant la distanc
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V(x1) - y(o) = -f E (x) dx =sNBSr1
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- lo -Lorsque a < x < bE(x) - E(a)
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- 12 -Ecriture des équations= C2 (
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Par la présence de l'équation dif
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