flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 182 -!LC OC DOPAGC SIIVAC.MTAT DC OCPART. -I 1 W1.14 C.3MPI.ANTAT1ON Ofa 7(...5...../C2S'.. 71*A d...yd. . lIllA do n.OXYD'suae?M?AP*Cl TRAI?EMO4TI THClJ-eFIGURE 3-17 : Profil de dopage du substrat obtenu par "SUPREM"1.17 .../..I PRIL 0E OOPAGE APPROCI1.151.14d-VlaVIS VI - N VI VI VI F.- . . . .. . .: .x en 11mFIGURE 3-18 Appröxìnitton du profil dedópage dans le substrat
- 183 -Afin de déterminer expérimentalement la relation existantentre le coefficient d'effet de substrat K et la tension sourcesubstrat,nous avons utilisé un transistor 1S unitaire identique d'unpoint de vue technologie au MOS série du point mémoire.Pour la mesure, nous avons polarisé le substrat et relié lasource à la masse ; la source servant de référence de tension (figure3-16) La relation 3-5 s'écrit dans ce casV =V +T FB1/22 + K(- VB + 2 (3-7)Le tracé de la tension de seuil en fonction de(VB + 2 permet, par la mesure de la pente de lacourbe, de déterminer K en fonction de VB et ainsi de tracer lacourbe expérimentale donnant le coefficient d'effet de substrat enfonction de la tension de substrat0Nous avons par ailleurs réalisé un tracé théorique de cettecourbe en utilisant le profil de dopage de ce transistor déterminé parle programme de simulation "SUPREM (figure 3-17). Nous avons approchéce prof il de dopage suivant la figure 3-18.Connaissant le profil de dopage, la résolution de l'équationde Poisson permet de déterminer la densité de charges en volume dusubstrat cette charge est reliée au coefficient d'effet deBsubstrat K par la relationox= - K (VB + 2(3-8)oi C0est la capacité par unité de surface de l'oxyde dutransistor MOS.
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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un même motif sontEn fait ces disp
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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Texas Instrument, United States Pat
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