flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Ui aimant permanent de forme appropriée fournit unchamp magnétique continu perpendiculaire au plan de la mémoire.Le passage d'un courant de l'ordre de lOOmA dans uneboucle conductrice à la surface de la couche magnétique créeponctuellement un champ opposé à celui qui polarise la couchemince, et donne ainsi naissance à une zone cylindrique dontle sens d'aimantation est inverse de celui de la couche mince.Ces cylindres sont appelés "bulles magnétiques". Ellesont un diamètre de 4 à 6 tm.Lh champ tournant, créé par un bobinage extérieur,ainsi que la présence des barreaux en alliage magnéto résistantpermettent de déplacer les bulles. La disposition desbarreaux est telle qu'ils forment des registres à décalagedans lesquels l'information binaire est donnée par la présenced'une bulle ("1") ou son absence ("O").La magnétisation propre de la bulle se traduit parune variation de résistance lors de son passage dans un matériaumagnéto résistant et donc pour un courant donné par unechute de tension. Ce principe est utilisé pour la lecture dupoint mémoire. L'écriture consiste à créer une bulle, etl'effacement à la faire disparaître, soit par augmentationponctuelle du champ de polarisation de la couche mince (ef facementpar bit), soit par augmentation globale de ce mêmechamp (effacement global).La figure 1-1 illustre la structure de base d'unemémoire à bulles magnétiques. La non volatilité de la mémoireest assurée par la présence d'un champ magnétique permanent.Ce type de mémoire présente l'avantage d'avoir unetechnologiede fabrication simple et une bonne densité d'intégration1O bits/mm2 [21. Toutefois leur temps d'accès estlong : i à 4 ms et leur consommation moyenne élevée (supérieureà 1W).