flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

- 185 -Le détail du calcul est donné en Pinnexe 3.Les résultats théoriques et expérimentaux sont présentés àla figure 3-19 où l'on constate un tras bon accord théorie-expérience.Le NOS série utilisé est de faibles dimensions: Z/L4/5,l'utilisation d'une expression de la tension de seuil pour les 1VS defaibles dimensions [101] et la détermination expérimentale desparamàtres d'ajustement sur des MDS 7/5 [102] ont permis de connattrela courbe donnant la tension de seuil du NOS série en fonction de latension substrat (figure 3--20).Cette courbe ainsi que la relation donnant la tension quel'on peut avoir sur la zone diffusée située sous l'oxyde mince (nousappellerons cette tensions VD (Flotox))VD (Flotox) VG (MUS série) - VT(MOS série) (3-9)permet de tracer la courbe théorique de la saturation de la tension dela zone diffusée sous oxyde mince en fonction de la tension grille dutransistor série.La courbe expérimentale est réalisée à partir du principesuivant si la tension de la zone diffusée située sous l'oxyde minceatteint une valeur limite due à la tension de grille du transistorsérie, une augmentation de la tension drain de ce transistor doitrester sans effet sur l'effacement du dispositif Flotox.Ce résultat est observé expérimentalement sur des cyclesd'effacement non cumulatifs (figure 3-21) où l'on constate unesaturation. Le début de cette saturation permet de connaître larelation entre la tension VD (Flotox) et la tension de grille duMUS série.