flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

1.3.1 Mécanismes permettant l'injection des charges et leurstockage1.3.1.1 Injection par porteurs chaudsA - Mécanisme généralLa hauteur de la barrière d'énergie àl'interface silicium - dioxyde de silicium estde sensiblement, 3,1 e.v. pour les électrons, et3,8 e.v. pour les trous. Pour franchir ces barrières,en excluant toute possibilité d'effettunnel, il faut que les porteurs soient trèsénergétiques.On peut donc grâce à un champ électrique élevé donner à ces porteurs une énergie telleque leur température effective soit supérieure àcelle du réseau. C'est la raison pour laquelle onles appelle "porteurs chauds" [4]. Leur injectionest favorisée par la présence d'un champ verticalqui est constitué par le champ dans l'oxyde.L'injection d'électrons a été modéliséedans la littérature [31 par une probabilitéd'émissionP A exp (-dix) (1-1)Où :- A est le libre parcours moyen decollision phonon optique - électron.(X = AO th (ER/2kT), avec ER = 0,063 e.v.AO = 108A)