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- 30 -Ce dispositif bien qu'utilisant unmécanisme de programmation par porteurs chauds,diffère fondamentalement i FAMOS par le faitqu'il s'agit là d'un véritable composant EEPRCM,c'estàdire inscriptible et effaçable électriquement.Ce but est atteint en utilisant dans unemême structure deux types de porteurs chauds :les électrons et les trous.Ce dispositif [25] a été développé parTEXAS INSTRLPIENT et l'application a été réaliséeen canal P. La structure de ce dispositif [26]est présentée à la figure. (1-11)Ce dispositif est entièrement recouvertd'une grille flottante et peut se décomposer enquatre parties élémentaires :un transistor MOS commandé par La grille flottante,un injecteur d'électrons destiné à chargernégativement la grille flottante et constituépar une jonction P+ N+,un injecteur de trous permettant d'annuler Lacharge négative stockée sur la grilleflottante, il est constitué par une jonctionP+ N++.une capacité bootstrap entre silicium P++ etgriLle f Lottante, elle permet d'avoir unchamp électrique plus important et favorableà l'injection des trous.