flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 13 -1.3 MEMOIRES NON VOLATILS A MATERIAIJX SEMI-CONDUCTEL : LES EEPRCt4Jusqu'à présent Le procédé de stockage de l'informationdans Les points mémoires non volatils à semi-conducteur est effectuépar stockage de charges. Celui-ci peut-être effectué :Dans le volume d'un isolant,A l'interface de deux matériaux isolants,Dans un conducteur isolé entre deux couches d'isolants.En fait seuls les deux derniers procédés ont été développés,ils correspondent à deux grandes familles de dispositifs :Les structures de type MIOS (métal - isolant - oxyde - semiconducteurs),Les structures à grille flottante.En technologie MOS, le principe général de fonctionnementdes points mémoires non voLatiLs repose sur la modification deconduction d'un transistor MOS : l'état conducteur correspond àl'état "O" et l'état bloqué correspond à l'état "1". (Pour un MOSde type canal N) nous rappelons à la figure 1-4 la constitutiond'une structure MOS.En technologie bipolaire, c'est aussi une modification deconduction qui permet de déceler l'état di dispositif.Différents phénomènes physiques sont utilisés pour programmerou effacer les dispositifs.
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