flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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6ANNEXZ 3x représentant la distance orthogonale d'un point du volume dusubstrat à l'interface oxyde substrat, nous avons approché leprofil de dopage de la manière suivante (cf figure 3-18)où NBS. N=NBS:ente le dopage de surfacea log N = - A' x + B'(-A' x + B')soit N = 10ouN=Bexp (-Ax)Ln (lo) NBBavecA= a blog-BSb(-1. aet B=NBS NBBoù NBB représente le dopage de départ du substratb.xN = NBB"a" représente la limite du dopage de surface et "b" la limite de xà partir de laquelle on retrouve le dopage de départ NBB du substrat.Dans le cas des figures 3-17 et 3-18 (1ère partie chapitre III), lesvaleurs numériques sonta = 4.lO cm A = 3,27.lO cmb = 13.1O CMB = 6,66.1016 atm/cm3NBS1,8.1016 at/cm3 Nßß = 9,48.1014 at/cm3
-7-CALCUL DENous obtenons l'expression de par la résolution deBl'équation de POISSON avec les hypothèses suivantes- lorsque x > x1 dV/dx = Ox1 étant l'extension de la zone de charged'espace- lorsque VGS = V1, pour VDS &,& O V, (forte inversion)et lorsque les potentiels sont références par rapport à lasource, le potentiel de surface est donné par'ç = 2+ VBy(o) V(x1) = VT Ln N(o) N(x1) +B1er cas : x < a= VTlnh(l + VB =[ni j+ 2 'TlnNBSnidiv V =2. - ... _iavec E(x) - E(o) = -Xr=a- L E (X)csi dx dx csi dx-s-- Cs ijNß(x) dx = - qoConditions aux limites -qN85E(o) - Xls iNsE(x) = - q (x - X1)CS1E(x1) = O
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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I NTRODUCT I ON
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La hauteur de barrière entre silic
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