flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SENS OES "L"GRILLE POLY. ZGRILLE NOSO ACCESCZDRAINC3IC1LSOURCSUDSTRATcotRE Mi MILIUi- CANALLOCOS/.zSU9STRATFIGURE 2-13 : Représentation des différentes capacitésTa grille flóttantereliées à.
- 89 -- la capacité C3 est formée par l'oxyde sous lesilicium polycristalljn i et ses armatures sontle silicium polycristallin i et lacôté zone mince.zone diffuséeOn définit la surface S3 comme étantcelle du silicium polycristallin i situé audessus de la zone diffusée côté zone mince moinsles surfaces de la zone mince et de l'ouverturepour implantation.la capacité C4 est formée par l'oxyde sous lesilicium pølycristallin i et sur la zone canal;ses armatures sont le silicium polycristallin iet la zone canal. Le potentiel de surfacen'étant pas uniforme dans le canal, C4 est enfait une capacité équivalente des capacitésréparties Ci4.On définit la surface S4 comme étantcelle de la zone canal.- la capacité C5 est formée par l'oxyde de champentre le silicium polycristallin i et lesubstrat ; ses armatures sont le siliciumpolycrjstallin i et le substrat.On définit la surface S5 comme étantcelle du silicium polycristallin i moins lessurfaces des zone drain et zone canal (surfacede silicium polycristallin débordantde champ).sur l'oxydePour chaque surface Si, S2, S3, S4, S5on définit une densité surfacique de charge al,a2, , a5, positive par convention.
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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Texas Instrument, United States Pat
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Par la présence de l'équation dif
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