flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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IV.3. STRLETURE MOTOROLA (FEThOS)La structure FETMOS ("floating-gateélectron tunneling Mou "NOS à injection pareffet tunnel sur une grille flottante")proposée par MOTOROLA [1041 est une structure à grille flottante et àmécanisme d'injection de charges par effettunnel Fowler Nordheim. Lafigure 4-7 donne le schéma en coupelongitudinale de ce dispositif.Tout coe le dispositif HUGHES, le FETNOS s'apparentebeaucoup au Flotox. La différence entre le FETMOS et le Flotox résidedans la position de l'oxyde mince :ce dernier est situé entiàrementsur le canal pour le FETMOS.Le principe de fonctionnement en programmation du FETNOSest le suivant : pour injecter des électrons sur la grille flottante("écriture"), une haute tension (20 V) est appliquée à la grille decontrôle, tandis que les drain et source du FETMOS sont à la masse (demême que le substrat qui est relié à la masse en permanence). Sousl'effet de cette tension (transmise par couplagecapacitif à la grilleflottante) des électrons peuvent transiter par effettunnel FowlerNordheim à travers l'oxyde mince du substrat vers la grille flottante.Dans le cas inverse, afin de créer une charge positive surla grille flottante ("effacement") on applique une haute tension (20 V)au drain, tandis que la grille de contrôle est à la masse et la sourcepolarisée à + 5 V.
RXLLE FLOTTANTEARILLE DE CONTROLEAUZOE AIIINCIEJ9 Du CANALDEAThLTRAX8TOR SERZEJf9IBTRAT p-sFIGURE 4-7 : Point mérnoij'e 11FE111OSCUL 1) RDTC. YCU.E TIEIa ...........sçYs,,ssssFIGURE 4-8 :Comparaison théorique ds cycles de prògramatìon des dispositifsFlotox et FEThIOS pour des gêdmétries comparables
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