flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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-2-a S1 B(BLexp B Lt+exp('KL+Q - L KL-i-Q oet doncBLQ- -KLaS1BBLLog [L+ expKLQ0) Isi E < 0(1) et (2) s'écriventdQ (KL+Q)2 BLLexpKL+Qet E = - (KL + Q)la même démarche que précédemment conduit à1KL + Q taSexp (- BL y) dv =1KL + Q0oL2soit exp _B La S1 BKL+Q Lt+exp(- KL + Q od'où Q- -BL-KLa S1 BB Llog[ t+exp _LKL+Qo.siE=0 KL+Q=0 Q=-KLles valeurs de a et B sont calculées pour une valeur de la masseeffective m*égale à 0,5 m.3,1 10_6B 4,83$en A/V2,3/2en V/rn$ est la hauteur de barrière exprimée en e.v.
3ANNEXE 2Lors de "l'écriture" (injection d'électrons-à travers l'oxydece vers la grille flottante)d2J1>EJ 2;,E
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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- Attaque du nitrure- Implantation
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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Si l'on considère que pour un disp
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Ce résultat semble suffisant pour
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La hauteur de barrière entre silic
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L'élaboration d'uit modèle pour c
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