flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 295 -111.4 CONCLtSIONLa NOVRAM étudiée est une RAN statique non volatile de256 bits, elle comporte un circuit d'écriture - lecture, uncircuit d'entrées/sorties, un décodeur lignes et une logique decommande.La particularité essentielle de la partie RAN classiqueréside dans le système de lecture où le déséquilibre des lignesde bits lors de la lecture est multiplié par 4 à l'aide d'unsystème à deux ?4S (figure 3-3), les lignes de bits étant préalablementpréchargées.La non volatilité est assurée uniquement par les cellulesmémoires, et l'étude du fonctionnement a été faite pour lestrois cellules choisies au chapitre II.Toutes les simulations ont été effectuées en fonctionnement"typique" et en "pire cas" (variation des paramètres technologiquesde ±20 %), et montre un bon fonctionnement d'ensembledu circuit dans tous ses modes opératoires : écriture - lecture -prise en mémoire non volatile - repositionnement.L'implantation de ce circuit destiné à une démonstrationde faisabilité a été réduit (pour des raisons d'encombrementet économiques) à un circuit de type NOVRAM mais à 3 bits constituéspar des cellules différentes dont deux inovatives.Les caractéristiques essentielles prévues pour cecircuit sont les suivantes- technologie HC1N-E Flotox
- surface 2,3mm2- temps d'accès typique l2Ons (25°C)- temps de cycle typique 300ns (25°C)- consommation au repos 0,4mW- rétention 5 à 10 ans- endurance 10 000 cycles écriture I effacement- temps de prise en mémoire non volatile lOuis- temps de repositionnenient O,5its- gamme de température O à 70°C- alimentation VCC 5V ±10 %- tension de prise en mémoire non volatile 20V ±- entrées I sorties compatibles TTL - LS
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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I NTRODUCT I ON
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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