flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 186 -VJENSION 0E SEUIL BAS EN FONCIIQN 0E LA ÎENSION DRAINPLAOUE.SI 201NaTIF... 10VG NOS ..t.- 21vVOFIGURE 3-21 : Effet de saturation sur l'effacement du Flotox dO au MOS sérieSAT.RATION 0E LA TENSION DRAIN i FLOTOX EN FCT!ON DELA TENSION GRILLEJ NOS SERIEC.. - L 0.-S F/C.2XJ - S.S U.a1 - 1.4Z - L 7 U.L - 4.5 L$COURSE THEORIQUECOURSE EXPERINENTALEVG.. VFIGURE 3-22 : Valeurs de saturation de la tension drain du Flotox enfónctìon de la tension grille du MOS série
- 187 -Ce type de mesure, réalisé pour différentes tensions dela grille du transistor série, permet d'obtenir la courbe expérimentaleVD (Flotox) en fonction de VG (MOS série).Toutefois, la comparaison des courbes théoriques etexpérimentales montre un écart entre les deux tracés. Cet écart est dûa la simplification apportée par l'hypothèse initiale, où nous avonssupposé que la "transmission" de la tension dans le canal opérait àpartir de la forte inversion. En fait, celle-ci débute avant, notammentpour un lIDS de faibles dimensiOns. La mesure du seuil de "transmission"de la tension effectuée à l'aide d'un électromètre (présentant donc unetrès forte impédance) sur un lIDS unitaire de dimensions voisines decelles du MOS série et réalisé sur la même puce a permis de chiffrer cedécalage ;la relation 3-9 devenantVD (Flotox) VG (MOS série) - VT(3-10)(MOS série) + 0,75La corrélation théorie expérience est alors très bonne (figure 3-22).Les résultats précédents montrent l'influence du transistorsérie sur la tension réelle de programmation du transistor Flotox.On remarque que la programmation d'un dispositif Flotox estfortement dépendante de la tension de seuil du MOS série et du profilde dopage. Il apparatt souhaitable d'avoir un MOS série ayant unetension de seuil aussi faible que possible et la moins dépendantepossible de la tension substrat. Il faut donc un profil dopage tel quela concentration en surface permette d'avoir une tension de seuilpositive et que le dopage en volume décroisse rapidement.
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