flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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5ème masque- 74 -- Gravure silicium polycristallin+ insolation e e+ gravure du Si poly+ élimination résine1.. J. J' J'+ nettoyage- Implantation ionique N++ drainssources : phosphore- Nettoyage- Oxydation entre poly i etpoly 2- Dépôt résine6ème masque : gravure du silIciumpolycristallin 2$1 POLY 2- Gravure du poly- Elimination résine- Nettoyage- Oxydation thermique- Dépôt de l'oxyde épais- Dépôt résine7ème masque- Insolation- Attaque des contacts- Elimination résine- Implantation ionique phosphore5.1014 at/cm2 ; 35 keV- Recuit 9000 d'implantation- Dépôt de l'aluminium- Dépôt résineCYUN.AI$8ème masque- Insolation- Attaque aluminium- Recuit aluminium- Elimination résine- Dépôt verre de passivation- Gravure oxyde de passivationAUJNINflaI9ème masque- Ouverture des plots thermocompression- Opérations finales
11.2 CABACTERISTIQUES ELECTRIQUESET MODELISATION11.2.1 CaractéristiqueS électriquesEn faisant référence â la figure 2-1 on constatequ'il existe deux possibilités d'utilisation du Flotoxlorsque l'on veut mesurer le courant drain-sourceSoit la zone diffusée située sousamincie est connectée à la masse ;la source est située du côté zone mince.la zone d'isolantet on dira alors queSoit cette diffusion est connectée â un potentiel positiftandis que l'autre diffusion est mise à la masse ;dira alors que le drain estonsitué du côté zone mince.11.2.1.1 Présentation des dispositifsutilisés pour lesmesuressont de deux typesLes dispositifs utilisés pour la mesureUn dispositif Flotox tel qu'il aété décrit dansle paragraphe 11.1, et auquel est adjoint untransistor série. Ce dernier transistor permetde se placer dans une configuration telle quecelle qui est couramment utilisée dans unemémoire EEPROM.Un dispositif Flotox identique au précédent maisdont la grille flottante est connectée à unplot extérieur. A ce dispositif est aussiadjoint un transistor série.
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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