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flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 181 -où VGS est la tension entretension <strong>de</strong> seuil du dispositif.grille et source et VT laEn prenant comme référence <strong>de</strong>s tensions,en volume du substrat, on peut écrirela tensionVG> VS +VT(3-4)ouVG> V1 + VT si l'on veut que la tensionV1 soit intégralement transmise.Ce résultat est illustré la figure 3-15./En utilisant une expression classiquepour un Ì4DS canal N <strong>de</strong> gran<strong>de</strong> dimension<strong>de</strong> la tension <strong>de</strong> seuilVT = VFB ++ K(VSB + 2 (3-5)où VSB est la tension entre source et volume du substratest le potentiel <strong>de</strong> FermiK est le coefficient représentatif du substratVFB est la tension <strong>de</strong> ban<strong>de</strong> platela relation (3-4) <strong>de</strong>vientVG VS + VFB + + K(Vs + 2 (3-6)

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