flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

- 237 -Lors du repositionnement les lignesCLK, PRO et CLR sont polarisées positivement etl'alimentation de La cellule RAM statique passede 0V à VCC. La cellule mémoire RAM statique esttelle qu'elle présente un léger déséquilibre defaçon à repositionner plus facilement le noeud Aà VCC, et c'est ce qui se passe lorsquetransistor Flotox Te est écrit. Par contre siest effacé, il existe par les polarisations CLK,PRO et CLR une liaison directe entre le noeud Bet La tension CLR ; ce système permet derepositionner le noeud B à VCC. s retrouve ainsila configuration originellement stockée.leBien entendu il existe d'autrescellules mémoires de ce type [*12] et certainesont été utilisées dans des circuitscommercialisés telle la mémoire 1K bit de XICOR(X2201) [*13] [*14].En technologie CMOS, nous avons proposéune cellule qui présente l'avantage d'êtreentièrement symétrique [*15].Cette cellule est présentée à la figureI-16. En mode écriture, l'état de La cellule estimposé par la présence d'une tension O ou 5V surla ligne de bit LB et le complément de cettetension sur la ligne de bit complémentaire 1.9*transmise aux noeuds du bistable par la mise enconduction des transistors T, et T, commandés parla ligne de mot LM.