flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 60 -C - Influence sur la tension deseuil de la chargeemmagasinée sur la grille flottanteLorsque l'on emmagasine une chargesur la grille flottante par un mécanisme différentde ceux qui interviennent dans l'utilisationdu Flotox en tant que transistor ltS(par exemple mécanisme d'injection par champsélectriques élevés), on peut considérer quela charge de la grille flottante se comportecomme une charge fixe lors d'une utilisationdu Flotox en tant que transistor MOSOCette charge "fixe" de l'oxyde modifieles équations décrites précédemment par unterme supplémentaire qui intervient dans l'expressionde la tension de bandes plates.En effet cette expression devientVFB =(QOXF + QGFC (2-25)Cox CoxOù QGFC est la densité de charges situéesdans la grille flottante au dessus dela zone canal.
- 61 -L'expression générale de la tensionde seuil du transistor Flotox peut alorss'écrire, si l'on conserve les notationsclassiques du transistor MOST FB Cox 2F + K (VB + 2F - VT) + (QFG)n1 + 2 2!!V =V _QGFC+F CoxLorsque VG = VT, cela signifieque Qc = O et donc VG - VGl = Od'après (2-15)A partir de 2-24, on en déduit quet. ne dépend pas de VFB ; l'expressionde la tension de seuil se réduit alors àQGFC+V =VnT FB Cox 2F + K (VB 2FVT) + 1F I F Cox1/2+2'
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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La hauteur de barrière entre silic
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