flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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iLa relation entre cette "pseudo-mobilité"et la mobilité réelle est donnée par la formule2-50-AGFSi donc la tension de seuil et la"pseudo-mobilité" sont mesurées à partir de lagrille de commande du dispositif Flotox, lesexpressions 2-59 et 2-60 deviennent.zonel: 2Z B GFIVDS1DS = .iC [(VG + A VDS + AEC - VT)VDS - - r (2-61)pourGFVDS
FLOTOX -EHR-H jOED-R1-l2o -4IrINDEX PARAtI VALEUR EXPOS DEFINITION DES PRINCIPAUX PARANETRESUnités-II TEIIP 29$- Température2 liOX 800- Epaisseur d'oxyde3 (1* 612R- Mobilité A champ nul4DL 2.602Cm'/v.s5 DU 2,t25 - Ecart des cotes (dimensions dessinées - dimensions électriques) um6 CICO 0.0007 VTO 1.580- Tension de seuil A polarisations nulles d'un transistor NOS de grandes8 XBI 1.131dimensionsVc,4- Coefficient d'effet de substrat relatif A la région surdopée9 VI .574- Potentiel de Fermi du substrat'4IO XB2 .370- Coefficient d'effet de substrat en volume du substratIlV2 .132V$2- Terme de décalage de la polarisation du substrat dû aux implantations ioniquesVc .624V13- Tension de raccord entre région implantée et substratVF -.894V- Tension de bandes plates140.000V15 n2 0.00016 b 0.000I? DELI .200IO DEL2 .190 Coefficients de linéarisation de l'effet de substratTETA.G .020-Ec 11.912Coefficient de réduction de la mobilité due au champ transversalI t' - Champ critique longitudinalTETA.019202$Io-.05422 ALPHI - .224 1.023 ALPH2 -.199 1.024 ALPH3 -. 092 1.025 BETAI .363I . O2 9ETA2 .754 1.02? BETA3 .799 .028 GA1IA$ -.132 1.029 CAMA2 .057 1.030 CAIIA3 1.010 LO3$ GAIIA4 - .73732 LANDI 0.000 1.033 LAMD2 0.000 1.034 Epa .228- Coefficients tenant compte des effets des canaux courts ou/et étroits- Facteur de conductance de sortie1/vV/MmMmFIGURE 2-20
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