flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

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- 225 -1.3 CIRCUITS DU TYPE NOVRAM1.3.1 GénéralitésLa NOVRAM ou mémoire vive non voLatiLe peutêtreprésentée sous L'aspect d'une double mémoire :- une mémoire RAM cLassique,- une mémoire EEPRI permettant de stocker Le contenu de Lamémoire RAM, lorsque cela est souhaité et bien entendu derécupérer cette information dans la RAM soit à la remisesous tension de la mémoire, soit à tout moment au gré del'utilisateur.La figure 1.8 donne le schéma fonctionnel d'uncircuit du type NOVRAM. reconnait l'architecture classiqued'une mémoire RAM, la seule particularité réside dans Le planmémoire qui doit réaliser à la fois la fonction RAM et lafonction EEPRI, cela se traduit par des configurationsparticuLières de cellules mémoires.Ces cellules mémoires se distinguent des cellulesmémoires RAM classiques par l'adjonction d'éléments nonvolatils. L'introduction de ces éléments non volatils a deuximplications :- d'une part il est nécessaire, actuellement, Lors d'un fonctionnementnon volatiL, d'avoir des tensions supérieures àcelles communément utilisées en circuit intégré (ces tensionsseront appelées "hautes tensions").- d'autre partl'insertion des éléments non volatils ne doitpas perturber le fonctionnement RAM classique.
- 226 -Transfert R4M-EEPROMMmo,r, EEPROMlic i batRappelEntredonneeiS&lectionde circuitEcritvreautorise,EC4LLSTORESortiedonnes32colonnesL.00u.t®Adressage colonnesFIGURE I-8 : Schéma fonctionnel d'une NOVRAM*voo*vss1-qn. d. motFIGURE I-9 : Bstable en technologie FIGURE I-10 : Bistable en technologiemonocanal
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N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
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Sont aussi habilitées ì diriger d
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AVANT-PROPOSLe travail présenté d
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EV /mchamp électrique critique lon
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VPVpseudo potentiel de FERMI au poi
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wt-ULss1.4 COPtJCLUSIOWSC - EEPROMV
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P.191 CHAPITRE IV CompaìuvLoon da
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I NTRODUCT I ON
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-2-L 'aznLLoìwtLovi deA techvioLog
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PREMIEREPARTIE
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-5-1.1 INTRODUCTIONLa nécessité d
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-7-1.2 POINTS MEMOIRE NON VOLATILS
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9Couche mincemag ne t iqueSens de I
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L'inscription se fait en injectant
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GRILLE DE CONTROLE Sn SI POLYCRI3TA
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ØRILLE 0E c0NTMEpFIGURE 1-13Struct
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11.1 DESCRIPTION - PRINCIPE DE FONC
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Les grilles sont généralement ré
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un même motif sontEn fait ces disp
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COUPE AU MILIEU OU CANAL DANS LE SE
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Si l'on considère que pour un disp
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hautiñotif 19hautmotif 18Ç basmot
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Ce résultat semble suffisant pour
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y v(y) s(y) t(y)o i i i005 0,9948 0
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La troisième hypothèse repose sur
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Les tensions appliquées à la gril
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La hauteur de barrière entre silic
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Les hauteurs de barrière nsurées
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+ tant que la tension de programmat
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Texas Instrument, United States Pat
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