flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

More documents

Recommendations

Info

VPVpseudo potentiel de FERMI au point de pincementVTVtension de seuilximprofondeur de jonctionzmlargeur du canalaA/V2constante de l'expression de la densité de courantFOWLER-NORDHEIMV /mconstante de l'expression de la densité de courantFOWLER-NORDHEIMF IMpermittivité absolue du l'oxydeCF ¡Mpermittivité absolue du siliciumsFe.vhauteur de barrière de potentiel à l'interfacesilicium oxyde ; à l'interface grille flottanteoxyde sous grille flottante)Vdifference des potentiels de FERMIVpotentiel de FERMIVpotentiel de surfaceVexcès du potentiel de surfaceMSVdifference des potentiels d'extraction métalsemiconducteur
Page 1 and 2: N° d'ordre: 83-08Année 1983THÈSE
Page 4 and 5: Sont aussi habilitées ì diriger d
Page 6 and 7: AVANT-PROPOSLe travail présenté d
Page 9 and 10: EV /mchamp électrique critique lon
Page 14 and 15: SOMMAIREINTRODUCTIONPREMIEREPARTiEP
Page 16 and 17: 11.2.3. 1. EpMA4.Lon de6 J atLon4 e
Page 18 and 19: P. 245 CHAPITRE II : P 4ert-ta-t-Lo
Page 20 and 21: Le be,òoLn cxoíarvt de. .ótoc.Ia
Page 22 and 23: -3-La de.ux.Lme. paxtíe. de. notM
Page 24 and 25: CHAP! TREIGENERALITES SUR LES DISPO
Page 26 and 27: 6Les EEPRCM par contre n'ont évolu
Page 28 and 29: Ui aimant permanent de forme approp
Page 30 and 31: - lo -1.2.2 Systèmes à verre semi
Page 32 and 33: - 12 -Alu minieFdi$CCJU d 'é/ectro
Page 34 and 35: 1.3.1 Mécanismes permettant l'inje
Page 36 and 37: - 16 -Il faut donc ajuster ce profi
Page 38 and 39: VRoL,VCo.-NVRO-,,J.»lone depieteeV
Page 40 and 41: - 20 -Lenz linger et Snow [131 ont
Page 42 and 43: - 22 -Po est une constante, tox est
Page 44 and 45: - 24 -1.3.1.5 Injection de porteurs
Page 46 and 47: - 26 -La région canal des disposit
Page 48 and 49: - 28 -Par contre les rétentions de
Page 50 and 51: - 30 -Ce dispositif bien qu'utilisa
Page 52 and 53: irGCf,IIC flottantes.a o y\"\\\'\\\
Page 54 and 55: - 34 -L'écriture est réalisée pa
Page 56 and 57: - 36 -indicatif :l'bus en citerons
Page 58 and 59: - 38 -ILLE PLØ17MflECANlN!ALANTaJe
Page 60 and 61: - 40 -Ce type de structure bipolair
Page 62 and 63:
- 42 -Le MNOS comparé aux disposit
Page 64 and 65:
CHAP! TREIILE DISPOSITIF FLOTOX : C
Page 66 and 67:
- 46 -ISOLANT 2GRILLE 0E CONTROLEIS
Page 68 and 69:
VFR< V0 VrC-1ranai.tor ond_?rin.tat
Page 70 and 71:
:- VG> VT forte inversion. Lecouran
Page 72 and 73:
FIGURE 2-4REpARTITIoi OU POTENTIEL
Page 74 and 75:
On définit la tension de seuil,c'e
Page 76 and 77:
- 56 -QFavec = oxVFB MS C oxla tens
Page 78 and 79:
- 58 -Le potentiel de surface est p
Page 80 and 81:
- 60 -C - Influence sur la tension
Page 82 and 83:
- 62 -Il est toutefois important de
Page 84 and 85:
- 64 -- Le champ électrique néces
Page 86 and 87:
- 66 -11.1.3 Technologie utilisée
Page 88 and 89:
OUVEU * PCXIrLANTATIONP.Y I¡iIL_HL
Page 90 and 91:
- 70 -FIGURE 2-6 :Etapes technologi
Page 92 and 93:
- 72 -- Oxydation Locos- Dépôt ni
Page 94 and 95:
5ème masque- 74 -- Gravure siliciu
Page 96 and 97:
- 76 -Nocif NItypa ¿s dispositifgr
Page 99 and 100:
FIGURE 2-10FIGURE 2-11
Page 101 and 102:
11.2.2 Détermination expérimental
Page 103 and 104:
- 83 -flottante peut êtreCette val
Page 105 and 106:
- 85 -A partir de ces résultats ex
Page 107 and 108:
- 87 -11.2.3 Expression théorique
Page 109 and 110:
- 89 -- la capacité C3 est formée
Page 111 and 112:
- 91 -On considère dans la relatio
Page 113 and 114:
VG - 4 VVC-I VVG - 2 VVG - 2 VVG -
Page 115 and 116:
L'accord entre théorie et expérie
Page 117 and 118:
- 97 -On conclut de ce qui précèd
Page 119 and 120:
Cette expression est semblable àl'
Page 121 and 122:
- 101 -- Il faut toutefois noter qu
Page 123 and 124:
- 103 -- un voltmètre digital "Sch
Page 125 and 126:
- 105 -Or d'après (2-46)VGF = AVG
Page 127 and 128:
- 107 -où VTOGF représente la ten
Page 129 and 130:
- 109 -Ces expressions ont été co
Page 131 and 132:
- en régime saturé une expression
Page 133 and 134:
- 113 -s'écrirontDans le cas du Fl
Page 135 and 136:
FLOTOX -EHR-H jOED-R1-l2o -4IrINDEX
Page 137 and 138:
- 117 -FLOTOXO-NHII2Ø-(ç0)as00uuv
Page 139 and 140:
- 119 -En ce qui concerne la conduc
Page 141 and 142:
- 121 -11.2.5.3 Localisation et ori
Page 143 and 144:
- 123 -Afin de préciser la localis
Page 145 and 146:
- 125 -La dernière étape du proc
Page 147 and 148:
La mesure de la charge initiale sur
Page 149 and 150:
- 129 -ilSILICIUMVpelyV.t ) OEFSILI
Page 151 and 152:
- 131 -Une expression du courant en
Page 153 and 154:
- 133 -Dans l'expression 2-66, le s
Page 155 and 156:
XOXYDE _. A5?LOG C I/E2)+tCAPACITE
Page 157 and 158:
- 137 -11.3.2. Modèles pour l'inje
Page 159 and 160:
- 139 -Lorsque E> O l'injection d'
Page 161 and 162:
- 141 -Afin de valider ce imdèle,
Page 163 and 164:
-4FIGURE 2-29Y. en V- 143 -- 01MOTI
Page 165 and 166:
- 145 -io VSsnV BED 25-SI 02e C Mot
Page 167 and 168:
- 147 -Pour simuler le fonctionneme
Page 169 and 170:
- 149 -Nous résumons dans le table
Page 171 and 172:
L'ensemble de ces résultats suggè
Page 173 and 174:
TABLEAU RECAPITULATIF SUR LES HAtTI
Page 175 and 176:
BED 17RI 160 2,87 2,87 RI 160 même
Page 177 and 178:
111.1 INTRODIETIONL'utilisation du
Page 179 and 180:
111.2 CYCLES DE PROGRAMMAhTIONLors
Page 181 and 182:
La figure 3-3 présente un cycle ex
Page 183 and 184:
+ Si VG atteint des valeurs trop im
Page 185 and 186:
- 165 -111.3 ENDURANCE DES DISPOSIT
Page 187 and 188:
- 167 -- Une troisième série de c
Page 189 and 190:
- 169 -Le courant que l'on fait pas
Page 191 and 192:
- 171 -0.700.680.660.640,620.600.58
Page 193 and 194:
1732423222120(VS 10)i2-.' V34isille
Page 195 and 196:
- 175 -111.5. RETENTION DE L'INFORM
Page 197 and 198:
Lorsque l'on élève la températur
Page 199 and 200:
- 179 -1.1 1.2 1.3 1.4 1.3 1.4 1.7
Page 201 and 202:
- 181 -où VGS est la tension entre
Page 203 and 204:
- 183 -Afin de déterminer expérim
Page 205 and 206:
- 185 -Le détail du calcul est don
Page 207 and 208:
- 187 -Ce type de mesure, réalisé
Page 209 and 210:
Toutefois, un profil de dopage idé
Page 211 and 212:
CHAP I TREIVCOMPARAISON DU DISPOSIT
Page 213 and 214:
- 193 -GRILLE FIOTTAIITEFIGURE 4-1
Page 215 and 216:
wr* C1 U C.,.)i 1W. liIZ. 7JIt. *$t
Page 217 and 218:
197V.21.61.41.31.21.11.00.Io..0.7o.
Page 219 and 220:
RXLLE FLOTTANTEARILLE DE CONTROLEAU
Page 221 and 222:
Le champ à travers l'oxyde mince e
Page 223 and 224:
En contre partie, la position de l'
Page 225 and 226:
IV.4. PRESENT&TION DU PONT NEMOIRE
Page 227 and 228:
- 207 -fr'eI4 ZONE ACTIVEFigure 4-1
Page 229 and 230:
- 209 -De même, on pourrait obteni
Page 231 and 232:
20FENETRE 1404018E en V1510LiLB1.92
Page 233 and 234:
IV.5. CONCLtEIONLa comparaison des
Page 235 and 236:
CHAPITREIGENERALITES SUR LESCIRCUIT
Page 237 and 238:
- 216 -commandes. 'tei lace conwnan
Page 239 and 240:
- 218 -DOMAINES D'UTILISATIONEXEMPL
Page 241 and 242:
_J_SELECTIDN D4 XTRANSISTOR NENOIRE
Page 243 and 244:
- 222 -Le plan mémoire contient 12
Page 245 and 246:
- 224 -L'effacement global consiste
Page 247 and 248:
- 226 -Transfert R4M-EEPROMMmo,r, E
Page 249 and 250:
- 228 -LXNE 0E arrLIGNE DE arrFIGUR
Page 251 and 252:
- 230 -La tension d'alimentation VD
Page 253 and 254:
- 232 -- lors de la mise en mémoir
Page 255 and 256:
- 234 -Exemple de cellule réalisé
Page 257 and 258:
LSN(FIGURE I-15 :Cellule mémoire n
Page 259 and 260:
- 238 -Lh état donné étant misen
Page 261 and 262:
- 240 -Lorsqu'on repositjonne La ba
Page 263 and 264:
- 242 -L'évolution des circuits ci
Page 265 and 266:
DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
Page 267 and 268:
- 246 -11.1 INTRODUCTIONLe but de L
Page 269 and 270:
- 248 -11.2 ORGANISATION GENERALE D
Page 271 and 272:
- 250 -11.3.2 Présentation et desc
Page 273 and 274:
- 252 -Cette polarisation va provoq
Page 275 and 276:
CAPACITECAPACITELBFI.OTOXLNFIGURE 2
Page 277 and 278:
FIGURE 2-7Cellule mémoThe non vola
Page 279 and 280:
LB_ LBVssFIGURE 2-9 :Cellule mémoi
Page 281 and 282:
- 260 -La présence de cette haute
Page 283 and 284:
- 262 -FIGURE 2-11 : Principales é
Page 285 and 286:
- Oxydation entre poly i etpoly 2-
Page 287 and 288:
- 266 -transistor de type canal PLE
Page 289 and 290:
- 268 -11.6 CONCLUSIONLe circuit RA
Page 291 and 292:
CHAP I TREIIIDESCRIPTION DU CIRCUIT
Page 293 and 294:
- 272 -LBCOMMANDEJ-P 5/6p 5/vccp 5/
Page 295 and 296:
274LBLBL14iNCELLULE iLMtclIvcc129p5
Page 297 and 298:
- 276 -Les grilles des transistors
Page 299 and 300:
- 278 -tension en V6Tension sur la
Page 301 and 302:
- 280 -TENSION in VIIIITensions sur
Page 303 and 304:
N vccti pE/SFtGURE 3-IOScha logique
Page 305 and 306:
vcc ycC .8.P 0/4117 110 TISP 4/4 IT
Page 307 and 308:
- 286 -111.2.4 Cellules mémoires :
Page 309 and 310:
- 288tension en Ve.ai1 20i U.I1r -T
Page 311 and 312:
- 290 -Dans les expressions (3-1) e
Page 313 and 314:
- 292 -SYNOPTIQUE OU CIRCUIT TEST N
Page 315 and 316:
SIGNIFICATIONS DES DIFFERENTES BROC
Page 317 and 318:
- surface 2,3mm2- temps d'accès ty
Page 319 and 320:
L' etude. que. n0u4 a.v0n4 piLL6e.v
Page 321 and 322:
REFERENCE SI. Dt.JTHIE, L'Onde Elec
Page 323 and 324:
[5311 G. MERCKEL, Thèse de Doctora
Page 325 and 326:
[* i] M. BAGULA, R. WONG, Techn. Di
Page 327 and 328:
-1-ANNEXE 1A VG + (B - 1) VD QE- +d
Page 329 and 330:
3ANNEXE 2Lors de "l'écriture" (inj
Page 331 and 332:
5pour (4) le calcul de k1,k2,k3,k4
Page 333 and 334:
-7-CALCUL DENous obtenons l'express
Page 335 and 336:
Lorsque O x aE(x) - E(ó) =- qNCS i
Page 337 and 338:
ANNEXE 4MODELISATION CYCLES TYPE HU
Page 339 and 340:
- 13 -La résolution de l'équation
Page 341 and 342:
deriìièipage de la thèseAUTORISA
show all

flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?