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- 234 -Exemple de cellule réalisée en technologie CMOSLe schéma de principe d'une celluleréalisée dans cette technologie est présentée àla figure 1-14. [*8].L'élément non voLatiL. T, T de cettecellule est constitué par deux transistorsmontés en série et de type canal N et canal P.Ces transistors possèdentune grille flottantecommune avec une zone amincie située du côtécanal N ainsi qu'une grille decommune.commandeA cet élément non volatil on connecteen série deux transistors 1 et T6 de façon àajuster les résistances équivalentesdes différentséléments du circuit : l'ensemble 15, 13est en parallèle avec Tparallèle avec T.; et T, 16 est enLors de la lecture le fonctionnementse résume au fonctionnement normal d'unbistableCMOS, et Le déséquilibre introduit par Labranche non volatile est réduit par la présencedes transistors T5 et 16.Lors de latile, le passage detension se répercutemise en mémoire non volalatension VDD à une hautesur l'un des noeuds, ainsil'élément non volati I est polarisé entre grillede contrôle et drain à la haute tension, ce quipermet la charge ou la décharge de La grilleflottante.