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irGCf,IIC flottantes.a o y\"\\\'\\\
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CHAP! TREIILE DISPOSITIF FLOTOX : C
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VFR< V0 VrC-1ranai.tor ond_?rin.tat
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:- VG> VT forte inversion. Lecouran
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FIGURE 2-4REpARTITIoi OU POTENTIEL
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On définit la tension de seuil,c'e
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OUVEU * PCXIrLANTATIONP.Y I¡iIL_HL
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5ème masque- 74 -- Gravure siliciu
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FIGURE 2-10FIGURE 2-11
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11.2.2 Détermination expérimental
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VG - 4 VVC-I VVG - 2 VVG - 2 VVG -
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L'accord entre théorie et expérie
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Cette expression est semblable àl'
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- 105 -Or d'après (2-46)VGF = AVG
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- 107 -où VTOGF représente la ten
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FLOTOX -EHR-H jOED-R1-l2o -4IrINDEX
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La mesure de la charge initiale sur
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XOXYDE _. A5?LOG C I/E2)+tCAPACITE
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- 137 -11.3.2. Modèles pour l'inje
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-4FIGURE 2-29Y. en V- 143 -- 01MOTI
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- 145 -io VSsnV BED 25-SI 02e C Mot
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L'ensemble de ces résultats suggè
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TABLEAU RECAPITULATIF SUR LES HAtTI
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BED 17RI 160 2,87 2,87 RI 160 même
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111.1 INTRODIETIONL'utilisation du
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111.2 CYCLES DE PROGRAMMAhTIONLors
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La figure 3-3 présente un cycle ex
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+ Si VG atteint des valeurs trop im
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1732423222120(VS 10)i2-.' V34isille
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Lorsque l'on élève la températur
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Toutefois, un profil de dopage idé
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CHAP I TREIVCOMPARAISON DU DISPOSIT
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- 193 -GRILLE FIOTTAIITEFIGURE 4-1
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wr* C1 U C.,.)i 1W. liIZ. 7JIt. *$t
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197V.21.61.41.31.21.11.00.Io..0.7o.
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RXLLE FLOTTANTEARILLE DE CONTROLEAU
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Le champ à travers l'oxyde mince e
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En contre partie, la position de l'
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IV.4. PRESENT&TION DU PONT NEMOIRE
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- 207 -fr'eI4 ZONE ACTIVEFigure 4-1
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- 209 -De même, on pourrait obteni
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20FENETRE 1404018E en V1510LiLB1.92
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IV.5. CONCLtEIONLa comparaison des
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CHAPITREIGENERALITES SUR LESCIRCUIT
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- 216 -commandes. 'tei lace conwnan
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- 218 -DOMAINES D'UTILISATIONEXEMPL
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_J_SELECTIDN D4 XTRANSISTOR NENOIRE
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- 222 -Le plan mémoire contient 12
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- 224 -L'effacement global consiste
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- 228 -LXNE 0E arrLIGNE DE arrFIGUR
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- 230 -La tension d'alimentation VD
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- 232 -- lors de la mise en mémoir
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- 234 -Exemple de cellule réalisé
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LSN(FIGURE I-15 :Cellule mémoire n
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- 238 -Lh état donné étant misen
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DENOMINATION ORGANISATION TECHNOLOG
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- 246 -11.1 INTRODUCTIONLe but de L
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- 252 -Cette polarisation va provoq
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CAPACITECAPACITELBFI.OTOXLNFIGURE 2
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FIGURE 2-7Cellule mémoThe non vola
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LB_ LBVssFIGURE 2-9 :Cellule mémoi
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- Oxydation entre poly i etpoly 2-
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CHAP I TREIIIDESCRIPTION DU CIRCUIT
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274LBLBL14iNCELLULE iLMtclIvcc129p5
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- 278 -tension en V6Tension sur la
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- 280 -TENSION in VIIIITensions sur
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N vccti pE/SFtGURE 3-IOScha logique
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vcc ycC .8.P 0/4117 110 TISP 4/4 IT
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- 292 -SYNOPTIQUE OU CIRCUIT TEST N
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SIGNIFICATIONS DES DIFFERENTES BROC
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- surface 2,3mm2- temps d'accès ty
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L' etude. que. n0u4 a.v0n4 piLL6e.v
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REFERENCE SI. Dt.JTHIE, L'Onde Elec
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[5311 G. MERCKEL, Thèse de Doctora
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[* i] M. BAGULA, R. WONG, Techn. Di
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-1-ANNEXE 1A VG + (B - 1) VD QE- +d
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3ANNEXE 2Lors de "l'écriture" (inj
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5pour (4) le calcul de k1,k2,k3,k4
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-7-CALCUL DENous obtenons l'express
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Lorsque O x aE(x) - E(ó) =- qNCS i
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ANNEXE 4MODELISATION CYCLES TYPE HU
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deriìièipage de la thèseAUTORISA