flotox - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon - École Centrale de Lyon

- 222 -Le plan mémoire contient 128lignes et 128 colonnessoit 16 384 cellules mémoire. Le décodeur lignes permet lasélection d'une ligne parmi les 128.Le décodeur colonnes permet la sélection de 8colonnes en même temps, plus une (Ligne de programmation) parl'intermédiaire du circuit sélecteurs cotonnes. Les 8 cetlulesainsi sélectionnées sont reliées aux 8 amplificateursd'entrée - sortie - 3 états, pour les opérations de :"lecture", "effacement par byte", "écriture d'un byte","effacement global".La logique de commande assure le contrôle de tousles circuits principaux.Enfin, des amplificateursd'adresses lignes etcotonnes fournissent des signaux adéquats aux décodeurs.Le plan mémoire est réaLiséde la manière présentéeà la figure 1.6 : la cellule de base de la mémoire est constituéed'un transistor mémoire du type Flotox et d'un transistorde sélection, ces cellules sont matricées pour constituerle plan mémoire.La lecture est effectuée en sélectionnant le pointmémoire, en appliquant une tension positive (5V) sur la lignede sélection et sur la grille de commande du transistormémoire. L'information est récupérée sur la colonne correspondantau point mémoire choisi. Lorsque la chargegrille flottante estsur lanégative, le transistor mémoire estbloqué, dans le cas contraire il est passant.L'effacement peut être réalisé par byte ou globalement.Il consiste à injecter des électrons sur la grilleflottante.